1) AlGaN/GaN HEMTs
AlGaN/GaN HEMT器件
1.
Degradation under high-field stress and gate stress of AlGaN/GaN HEMTs
高场应力及栅应力下AlGaN/GaN HEMT器件退化研究
2) AlGaN/GaN HEMTs
AlGaN/GaN HEMT
1.
AlGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Powercombining at C-Band;
基于AlGaN/GaN HEMT的C波段功率放大器混合集成电路的设计
2.
AlGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Power Combining at C-Band;
基于AlGaN/GaN HEMT的C波段混合集成功率合成放大器的设计(英文)
3.
Performance of AlGaN/GaN HEMTs with Different Layout;
AlGaN/GaN HEMTs器件布局对器件性能影响分析
3) AlGaN/GaN heterostructure
AlGaN/GaN异质结
1.
Comparison of measuring methods of sheet carrier density in AlGaN/GaN heterostructures;
AlGaN/GaN异质结载流子面密度测量的比较与分析
2.
Influences of AlN passivation dielectric on AlGaN/GaN heterostructure and its high-temperature properties;
AlN钝化层对AlGaN/GaN异质结及其高温特性的影响
3.
Influence of high-temperature AlN interlayer on the electrical properties of AlGaN/GaN heterostructure and HEMTs
高温AlN插入层对AlGaN/GaN异质结材料和HEMTs器件电学特性的影响
4) AlGaN/GaN superlattice
AlGaN/GaN超晶格
5) AlGaN/AlN/GaN structure
AlGaN/AlN/GaN结构
1.
The transport property of two dimensional electron gas in AlGaN/AlN/GaN structure;
AlGaN/AlN/GaN结构中二维电子气的输运特性
6) HEMT device
HEMT器件
1.
HEMT device was used in this 3-stage amplifier.
该放大器采用HEMT器件三级级联,频率范围为8 500MHz~8 850 MHz,在环境温度大约20K的环境下,噪声温度小于11K,输入输出回波损耗小于-25dB,功耗小于25mW,0~40GHz内无条件稳定。
补充资料：Al
元素符号： al 英文名： aluminum 中文名： 铝
相对原子质量： 26.9815 常见化合价： +3 电负性： 1.61
外围电子排布： 3s2 3p1 核外电子排布： 2,8,3
同位素及放射线： al-26[730000y] *al-27 al-28[2.3m]
电子亲合和能： 48 kj·mol-1
第一电离能： 577.6 kj·mol-1 第二电离能： 1817 kj·mol-1 第三电离能： 2745 kj·mol-1
单质密度： 2.702 g/cm3 单质熔点： 660.37 ℃ 单质沸点： 2467 ℃
原子半径： 1.82 埃 离子半径： 0.51(+3) 埃 共价半径： 1.18 埃
常见化合物： al2o3 alcl3 al2s3 naalo2 al2(so4)3 al(oh)3
发现人： 厄斯泰德、维勒 时间： 1825 地点： 丹麦
名称由来：
拉丁文：alumen， aluminis（铝）。
元素描述：
柔软轻质的银白色金属，在地壳中含量第三。
元素来源：
自然界完全没有铝单质存在。可以电解铝土(al2o3)制取铝。
元素用途：
上自飞机下到易拉罐应用广泛。因为纯铝太柔软，所以要加入不到1%的硅或铁以加大其硬度和强度。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条