1) HEMT device model parameters
HEMT器件模型参数
2) HEMT device
HEMT器件
1.
HEMT device was used in this 3-stage amplifier.
该放大器采用HEMT器件三级级联,频率范围为8 500MHz~8 850 MHz,在环境温度大约20K的环境下,噪声温度小于11K,输入输出回波损耗小于-25dB,功耗小于25mW,0~40GHz内无条件稳定。
3) MOS-HEMT
MOS-HEMT器件
1.
Temperature characteristics of AlGaN/GaN MOS-HEMT with Al_2O_3 gate dielectric
Al_2O_3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究
4) AlGaN/GaN HEMTs
AlGaN/GaN HEMT器件
1.
Degradation under high-field stress and gate stress of AlGaN/GaN HEMTs
高场应力及栅应力下AlGaN/GaN HEMT器件退化研究
5) model parameter extraction
器件模型参数提取
1.
In this paper a hybrid algorithm that incorporates the genetic algorithm and the traditional Powell algorithm with the applications to the semiconductor device model parameter extraction is presented.
本文研究了使用混合遗传算法的器件模型参数提取。
6) device parameters
器件参数
1.
The laws of device parameters varing with process conditions are studied in theory.
并从理论上分析器件参数随工艺条件变化的规律。
2.
The devices produced through all kinds of techniques are finally to be proved their ability by the testing of the device parameters.
基于负载／源牵引法的微波大功率自动测试系统能使用户在完全真实的情况下将已知的负载／源阻抗加到被测器件，从而找到被测器件参数的各种变化和最佳值。
补充资料：参数模型
分子式：
CAS号：
性质：一类可以通过结构化表达式和参数集表示的模型。参数模型是以代数方程、微分方程、传递函数等形式表达的，或采用机理方法建立的模型。
CAS号：
性质：一类可以通过结构化表达式和参数集表示的模型。参数模型是以代数方程、微分方程、传递函数等形式表达的，或采用机理方法建立的模型。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条