1) AlGaN/GaN high electron mobility transistors
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
1.
Study on mechanism of AlGaN/GaN high electron mobility transistors by high temperature Schottky annealing;
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究
3) Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT
Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN高电子迁移率晶体管
5) HEMT
高电子迁移率晶体管
1.
Ohmic Contact for InP-Based HEMTs;
磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺
2.
Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy;
RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性(英文)
3.
With the development of communication technology,the gate length of HEMT becomes shorter and shorter,and the previous speed-field analytical formula can not accurately describe this change.
通过对现有的速度-场经验公式的计算机模拟仿真,发现其与实测的文献数据之间存在一定的误差,因而提出一种改进的速度-场经验公式,在线性电荷控制模型的基础上,考虑沟道长度调制效应,解析出一种新的高电子迁移率晶体管(HEMT)I-V模型。
6) HEMTs
高电子迁移率晶体管
1.
A New Method for InGaAs/InP Composite Channel HEMTs Simulation;
一种InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法(英文)
补充资料：迁移率
分子式：
CAS号：
性质：又称淌度。单位电场强度下，带电粒子的移动速率。它与当量电导有简明的关系，即Λi=uiF。式中i表示第i种离子，Λ为当量电导，u为迁移率，F即法拉第常数。迁移率是决定物质电导率的因素之一。半导体中载流子获得漂流速度，叫做载流子的迁移率。以μ表示载流子的迁移率，E表示电场强度，v表示载流子在电场的漂移速度，则v=μE。Μ与半导体中的杂质浓度、缺陷密度、温度及载流子有效质量有关。在电泳时带电目的物质在电场中移动的速度被通过支持物电场强度所除，通常以cm2/(s·V)表示。在层析中系指层析液移动速度与目的物质移动速度之比，常用Rf表示。
CAS号：
性质：又称淌度。单位电场强度下，带电粒子的移动速率。它与当量电导有简明的关系，即Λi=uiF。式中i表示第i种离子，Λ为当量电导，u为迁移率，F即法拉第常数。迁移率是决定物质电导率的因素之一。半导体中载流子获得漂流速度，叫做载流子的迁移率。以μ表示载流子的迁移率，E表示电场强度，v表示载流子在电场的漂移速度，则v=μE。Μ与半导体中的杂质浓度、缺陷密度、温度及载流子有效质量有关。在电泳时带电目的物质在电场中移动的速度被通过支持物电场强度所除，通常以cm2/(s·V)表示。在层析中系指层析液移动速度与目的物质移动速度之比，常用Rf表示。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条