1) photo-mask lithography
掩膜光刻
1.
To develop a simple low-cost method for general microcups of electronic paper,the chosen methacrylic ester formulation consisted of some function units,such as solvent-resistance units,flexibility and adhesion promoting units,was accomplished through photo-mask lithography.
采用丙烯酸酯材料,以含羧酸的低聚物交联所得的网状结构为抗蚀单元,以聚酯、聚氨酯、异冰片酯单元等为柔性附着力促进单元,通过掩膜光刻法制得微杯结构。
2) Photomask
['fəutəumɑ:sk]
光刻掩膜
1.
A Simple Photomask with Photoresist Mask Layer for Ultraviolet-Photolithography and Its Application for Selectively Photochemical Surface Modification of Polymers;
光胶做挡光层的紫外光刻掩膜用于高聚物芯片表面选择性光化学改性
3) Lithography mask
光刻掩膜板
4) X-ray mask matetrial
X射线光刻掩膜材料
补充资料：负型光刻胶去膜剂
分子式：
CAS号：
性质：主要成分为苯酚加溶剂。红色透明液体。能与水、醇等溶剂互溶，有毒且有腐蚀性。适用于去除负型光刻胶光刻后的胶膜以及同类型光刻胶膜的去除。
CAS号：
性质：主要成分为苯酚加溶剂。红色透明液体。能与水、醇等溶剂互溶，有毒且有腐蚀性。适用于去除负型光刻胶光刻后的胶膜以及同类型光刻胶膜的去除。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条