1) photolithographic mask layer
光刻掩蔽层
2) masking photoresist
掩蔽光刻胶
4) photoresist masked etching
光刻胶掩蔽腐蚀
5) photolithographic masking operation
光刻掩蔽工序
补充资料:光掩蔽
分子式:
CAS号:
性质:产生光掩模版并接着应用它在光致抗蚀剂涂层上开窗口的全部工艺过程和操作。
CAS号:
性质:产生光掩模版并接着应用它在光致抗蚀剂涂层上开窗口的全部工艺过程和操作。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条