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1)  Interference ablation
干涉刻蚀
2)  interference lithography
干涉光刻
1.
The basic principle of multi-interference lithography processes designing and fabricating sub-wavelength grating microstructures is presented.
给出了用2θ夹角一次光刻、2θ夹角摆动δ角两次光刻和2θ夹角旋转β角两次光刻等干涉光刻工艺设计和构建可见光波段亚波长光栅微结构的基本原理。
2.
The fabrication methods of MPC include electron beam lithography with subsequent evaporation and lift-off, interference lithography with dry-etching technology etc.
制备金属光子晶体方法包括:电子束刻蚀结合后续剥离法、激光干涉光刻结合干刻蚀技术等。
3.
Waveguided grating structures were fabricated using interference lithography.
利用干涉光刻技术制备了波导耦合纳米光栅结构,系统研究了其波导共振模式的角分辨调谐特性及其对光栅参数、入射光偏振特性的依赖关系,并作了相应的理论模拟。
3)  Interferometric lithography
干涉光刻
1.
Study of interferometric lithography without masks;
无掩模激光干涉光刻技术研究
4)  dry etching
干法刻蚀
1.
Effect of dry etching on light emission of InAsP/InP SMQWs;
干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究
2.
Research of dry etching simulator in micromachining;
微加工干法刻蚀工艺模拟工具的研究现状
3.
Research of CCl_2F_2 plasma dry etching InSb-In thin film;
CCl_2F_2等离子体干法刻蚀InSb-In薄膜的研究
5)  dry etch
干法刻蚀
6)  dry-etching
干法刻蚀
1.
The testing technologies of SiC MESFET on manufacturing process were presented,including identification chip surface,dry-etching monitoring,aided testing of isoplanar,the test of the specific contact resistance of ohmic contact and other various testing technologies.
介绍了SiC MESFET芯片加工工艺中的主要在片检测技术,包括芯片表面情况判定、干法刻蚀的监测、等平面工艺的辅助测试、欧姆接触比接触电阻值的测试以及各种中间测试技术。
补充资料:负性光刻胶
分子式:
CAS号:

性质:光加工是指以可见紫外光、X射线、电子束、或者离子束作为加工手段的材料处理工艺,具有加工精度高,容易自动化等特点,广泛用于集成电路和印刷电路板制造、印刷制版等领域。光加工用高分子材料指在光作用下材料物性或外形发生变化,以实现对被照材料本身或者被其覆盖材料加工处理的聚合材料。在这类材料中最重要的是在集成电路、激光照排制版和印刷电路制备中使用的光刻胶。根据光与聚合物之间发生的作用机理不同,可以分成光聚合或光交联型光刻胶,也称为负性光刻胶;光分解型光刻胶,也称为正性光刻胶。除了光刻胶之外,光敏涂料,光敏胶等在广义上也属于光加工高分子材料。采用激光引发聚合直接将聚合物零件加工成型的方法也引起工业界的广泛关注,成为结构复杂高分子零部件光加工用高分子材料中的重要成员,其特点是摆脱了模具束缚,可以完全由计算机设计、控制加工。

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参考词条