2) etching damage
刻蚀损伤
1.
The advantage of SiO2 deposited by PECVD was reviewed and the influence of selection and ratio of the reaction gases on controlling of lateral etching was analyzed,and the etching damage was preliminarily analyzed as well.
主要研究了GaAlAs/GaAs多层结构波导的ICP(inductively coupled plasma)刻蚀,评述了使用PECVD制作的Si O2做掩膜的优点,分析了气体选择比对侧向钻蚀控制的影响,并初步分析了刻蚀损伤。
3) etch damage
刻蚀损伤
1.
The thickness of the etch damage layer is less than 25nm.
通过实验方法找出了去损伤刻蚀的最佳工艺参数,并研究了利用ICP两步刻蚀法去除刻蚀损伤的实验过程及结果。
4) low damage etching
低损伤刻蚀
1.
Optimization on gate-recessed AlGaN/GaN HEMT with low damage etching technique
AlGaN/GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术
5) dry etching
干法刻蚀
1.
Effect of dry etching on light emission of InAsP/InP SMQWs;
干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究
2.
Research of dry etching simulator in micromachining;
微加工干法刻蚀工艺模拟工具的研究现状
3.
Research of CCl_2F_2 plasma dry etching InSb-In thin film;
CCl_2F_2等离子体干法刻蚀InSb-In薄膜的研究
补充资料：电化学刻蚀
分子式：
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条