1) epitaxial deposited silicon
外延淀积硅
2) Epitaxial deposition
外延淀积
3) heteroepitaxial deposition
异质外延淀积
4) epitaxial cvd
外延化学汽相淀积
5) Continuous Development and Constant Accumulation
绵延与积淀
6) silicon epilayer
硅外延层
1.
Sub-micron silicon epilayer deposited by a novel Ultrahigh Vacuum Chemical Deposition System and fabrication of high frequency device;
UHV/CVD生长亚微米薄硅外延层及其高频器件研制
补充资料：化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积是一种气体反应过程。在这个过程中，由某些选定气体的热诱导分解在衬底上形成某种介质层。在硅平面器件及集成电路中最常用的是淀积SiO2，Si3N4和多晶硅。化学气相淀积也广泛用于半导体单晶薄膜的外延生长，特别是多层膜的外延生长。在光电子器件和微波器件的制作中尤其常用。CVD方法视工作时反应室中气体压强不同分为常压、低压和超低压CVD。根据化学反应能量提供方式不同可分为热分解、光加热、射频加热、热丝、光、等离子体增强和微波等离子体增强CVD。按反应气源不同又分为卤化物、氢化物和金属有机化合物CVD（MOCVD）。
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参考词条