1) Intrinsic silicon epitaxy
本征硅外延
2) silicon epilayer
硅外延层
1.
Sub-micron silicon epilayer deposited by a novel Ultrahigh Vacuum Chemical Deposition System and fabrication of high frequency device;
UHV/CVD生长亚微米薄硅外延层及其高频器件研制
3) Si epitaxy
硅外延
1.
By spreading resistance profile technology,Si epitaxy thickness value was obtained through measuring the changing of depth resistivity.
实际外延片测试过程中,经常发生扩展电阻测试仪测量硅外延片厚度误差较大的问题,从三个方面分析了产生的原因,其中两方面存在于样品制备过程:样品研磨角度不等于垫块角度造成的误差;研磨斜面两条边缘不平行造成的误差。
6) Source/Drain Recessed Etch
锗硅外延
补充资料：本征函数和本征值
算符弲作用于函数f(r)上, 得出另一个函数。若算符弲作用于一些特定的函数Ui(r)上(i=1，2，...)结果等于一常量乘同一函数，即,
则常数Fi称为算符弲的本征值,ui(V)称为属于这个本征值的本征函数。上式称为算符弲的本征值方程。
在量子力学中，一个力学量所可能取的数值，就是它的算符的全部本征值。本征函数所描写的状态称为这个算符的本征态。在自己的本征态中，这个力学量取确定值，即这个本征态所属的本征值。
则常数Fi称为算符弲的本征值,ui(V)称为属于这个本征值的本征函数。上式称为算符弲的本征值方程。
在量子力学中，一个力学量所可能取的数值，就是它的算符的全部本征值。本征函数所描写的状态称为这个算符的本征态。在自己的本征态中，这个力学量取确定值，即这个本征态所属的本征值。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条