1) cvd silicon
化学汽相淀积硅
3) silane cvd
硅烷化学汽相淀积
4) chemical vapor deposition
化学汽相淀积
1.
The design of system and technology for depositing silicon-nitride film microlenses by laser chemical vapor deposition (LCVD) are introduced.
本文介绍了采用激光化学汽相淀积（LCVD）技术淀积氮化硅薄膜微透镜的系统与工艺的设计。
5) CVD
化学汽相淀积
1.
sing CH_4,CCl_4 and H_2 mixtures as source materials,We successfully synthe-sized diamond thin films at 570～580℃by the microwave plasma CVD process.
含卤素源物质的金刚石薄膜淀积曹传宝（复旦大学）彭定坤，孟广耀（中国科学技术大学）关键词：金刚石，微波等离子体，化学汽相淀积，四氯化碳。
2.
Oriented (100) diamond film is deposited on silicon substrate by adjusting process parameters without use of other assisted measures in hot-filament CVD system.
采用热丝化学汽相淀积 (CVD) ,未用别的辅助措施 ,合成了 (10 0 )晶面的金刚石膜。
补充资料：硅烷
通式的一类硅的氢化物。已知的有SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10、Si5H12和 Si6H14六种直链的或支链的氢化硅。前四种的物理性质见表。
硅烷的热稳定性随着分子中硅原子的增多而迅速降低。SiH4和Si2H6在400℃时开始分解，Si4H10在室温时已明显分解，Si6H14的分解速率更快。
硅烷在空气中可燃烧,生成SiO2和H2O；与卤素单质作用生成卤代硅烷，在催化剂存在下能与卤化氢作用生成卤代物。例如：
硅烷能被水分解，在微量酸或碱存在下反应速率加快：
SiH4+2H2O─→SiO2+4H2硅烷与醇类反应，生成硅酸酯；在一些有机溶剂中或液氨中还能与碱金属、碱金属的氢化物和烷基化物进行置换或复分解反应。此外，硅烷在催化剂存在下，还能与氯仿发生氢和氯的对换作用。
硅烷最早是用硫酸或磷酸水解硅化镁Mg2Si来制备，产品是一种硅烷混合物。后来逐渐利用氢化铝锂与卤化硅在乙醚中反应来制备：
SiCl4+LiAlH4SiH4+LiCl+AlCl3
Si3Cl8+2LiAlH4Si3H8+2LiCl+2AlCl3
硅烷中的甲硅烷较重要,是热分解法制取超纯硅,生产半导体硅的原料。
硅烷的热稳定性随着分子中硅原子的增多而迅速降低。SiH4和Si2H6在400℃时开始分解，Si4H10在室温时已明显分解，Si6H14的分解速率更快。
硅烷在空气中可燃烧,生成SiO2和H2O；与卤素单质作用生成卤代硅烷，在催化剂存在下能与卤化氢作用生成卤代物。例如：
硅烷能被水分解，在微量酸或碱存在下反应速率加快：
SiH4+2H2O─→SiO2+4H2硅烷与醇类反应，生成硅酸酯；在一些有机溶剂中或液氨中还能与碱金属、碱金属的氢化物和烷基化物进行置换或复分解反应。此外，硅烷在催化剂存在下，还能与氯仿发生氢和氯的对换作用。
硅烷最早是用硫酸或磷酸水解硅化镁Mg2Si来制备，产品是一种硅烷混合物。后来逐渐利用氢化铝锂与卤化硅在乙醚中反应来制备：
SiCl4+LiAlH4SiH4+LiCl+AlCl3
Si3Cl8+2LiAlH4Si3H8+2LiCl+2AlCl3
硅烷中的甲硅烷较重要,是热分解法制取超纯硅,生产半导体硅的原料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条