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1)  isolateds ilicon epitaxy
绝缘硅外延
2)  silicon on insulating [ insulator ] substrate
绝缘衬底上外延硅
3)  insulating silicone grease
绝缘硅脂
4)  silicon insulation
硅尸绝缘
5)  insulating shell
绝缘外壳
6)  external insulation
外绝缘
1.
Application of silicone rubber for power system external insulation;
硅橡胶在电力系统外绝缘中的应用
2.
Recommendations on pollution plots(2005 edition) of external insulation for East China Power Grid;
华东电网外绝缘污秽区域图(2005年修订版)介绍
3.
Study on external insulation of air gap of ±800 kV DC system;
±800kV直流输电空气间隙外绝缘特性研究
补充资料:绝缘体上外延硅


绝缘体上外延硅
silicon on insulator

绝缘体上外延硅Sixieon。n insulator在绝缘衬底上制备半导体薄膜的生长技术。简称501。早期发展的绝缘衬底是蓝宝石。由于蓝宝石上外延硅存在衬底的自掺杂、载流子迁移率低、衬底和外延层界面应力大和衬底价格昂贵等缺点,得不到广泛应用。 501是在硅单晶衬底上形成5102绝缘层作衬底,并在绝缘层上进行硅外延增加厚度,用腐蚀法在该衬底上形成隔离硅岛后加工成电路。 较典型的501技术包括以下3种。①区熔再结晶技术。1979年由美国林肯实验室开拓。可采用激光或石墨加热器,近年又发展电子束、卤素钨灯加热等。这项技术经历图形外延、侧向籽晶外延和区熔再结晶。②氧离子注入(S IMOX)。以离一子束向硅单晶片注入高剂量氧离子,退火后形成埋层5102,再进行硅外延。用于超大规模集成电路SIMOX的最佳条件是:加热至500℃以上,以150一200 keV能量进行高浓度氧离子注入,注入浓度1一 2x101犯m一3,注入后在大于1250℃高温下退火。衬底和器件质量取决于注入能量、束流和温度等。③隔离硅外延。近年由林肯实验室发展的。它克服了材料缺陷如突出物、圆片翘曲和表面粗糙,提高了501材料质量。 用501结构材料加工大规模集成电路可降低互补金属一氧化物一半导体(CMOS)器件衬底的寄生电容,提高开关速度,增强抗宇宙射线能力和增加集成度。已应用于CMOS随机存贮器、运算器等。但501技术至今尚未进入商品化。今后除寻求发展新技术外,必须努力提高原有各种技术的实用性,如更好地控制硅膜中的缺陷和杂质,提高工艺的可靠性,进一步降低成本等,使之早日实现商品化。 (莫金现)
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参考词条