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1)  contrast etching
反衬刻蚀
2)  reactive ion etching(RIE)
反应刻蚀
1.
This work presents the study results of using inductively coupled plasma(ICP)-reactive ion etching(RIE) for fabricating InSb mesa with CH4/H2/Ar plasma.
利用感应耦合等离子(ICP)反应刻蚀(RIE)进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。
3)  reverse electro-etching
反电刻蚀
1.
The importance of surface cleaning before replating,reverse electro-etching(anodic treatment) as well as low-voltage and small-current plating,and some problems needing attention were emphasized.
介绍了在已有铬层上补镀硬铬的方法,强调了补镀前表面净洁、反电刻蚀(阳极处理)、低电压小电流起镀等工艺的重要性及应注意的问题。
4)  etched mirror (reflector)
蚀刻反射镜
5)  reactive ion etching
反应离子刻蚀
1.
Simulation of Reactive Ion Etching;
反应离子刻蚀的计算机仿真
2.
With electron beam lithography and reactive ion etching techniques we are able to produce graphite patterns of sizes down to 50 nm.
首先,发现用聚焦离子束(镓离子)刻蚀高定向热解石墨,可以得到边缘整齐程度在几十纳米的石墨条,另外,用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺,可以得到最小尺寸为50nm的纳米石墨图型(nanosizedgraphitepattern,纳米尺寸的多层石墨结构)。
3.
A reactive ion etching(RIE) cleaning the residual resist layer away by O_2 was presented in UV-imprint lithography.
针对紫外(UV)压印光刻在压印工艺过程中会产生阻蚀胶残膜的技术特点,采用以O2为反应气体来清除阻蚀胶残膜的反应离子刻蚀(RIE)工艺方法,研究了不同的反应气体流量、反应腔室压力、射频功率等刻蚀参数对刻蚀速率和刻蚀各向异性的影响,得到了刻蚀速率和刻蚀各向异性随各刻蚀参数的变化趋势图。
6)  RIE
反应离子刻蚀
1.
The Edge Effect in High Power RIE and Compensatory Approach;
反应离子刻蚀中的边缘效应及其补偿办法
2.
Modeling for Charging Effect during RIE Processing;
反应离子刻蚀工艺中的充电效应
3.
Surfaces topographies on Si wafer substrates with different dimesions have been produced by photolithography and reactive ion etching(RIE),and subsequently titanium dioxide films were coated on them via sol-gel method.
采用光刻技术和反应离子刻蚀法(RIE)先在硅表面制备出一系列平面尺寸不同的微图形阵列,然后采用溶胶凝胶(sol-gel)浸渍提拉法在其表面制备出均匀致密、表面粗糙度一致的锐钛矿型纳米晶TiO2薄膜。
补充资料:蚀刻
分子式:
分子量:
CAS号:

性质:用氢氟酸侵蚀玻璃的过程。采用浓度不同的氢氟酸,可以获得不同程度的蚀刻。一般是半透明呈雾状。用于刻划温度计、滴定管、量筒、量管等计量器上的刻度以及玻璃上的花纹图案等,也用于制造覆霜电灯泡(俗名磨砂灯泡)。用氢氟酸处理玻璃表面使成毛面,特别称毛面蚀刻(frosting)。

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参考词条