1) reactive ion beam etching
反应离子束刻蚀
1.
Ar/CHF_3 reactive ion beam etching(RIBE) and the ion beam incidence angle could have great influence on the pattern s sidewall angle and the selectivity for etching the SiO_2 wafer with a photoresist mask.
介绍了Ar/CHF3反应离子束刻蚀和离子束入射角对图形侧壁陡直度及刻蚀选择比的影响。
2.
In the fabrication of holographic-ion beam etching grating,a method combining ion beam etching and reactive ion beam etching is adopted to control the duty cycle.
在啁啾光纤光栅相位掩模的制作中,针对光刻胶光栅槽形要求比较高的问题,提出离子束刻蚀和反应离子束刻蚀相结合的方法,来实现对相位掩模槽形占宽比的控制。
2) reactive ion beam etching (RIBE)
反应离子束蚀刻
1.
The silicon wafers were highly polished by reactive ion beam etching (RIBE) until surface micro-roughness was under 2 nm, and the hydrophilic glass and oxidized silicon wafer were dried and initially bonded in air for appropria.
利用反应离子束蚀刻(RIBE)对基片进行抛光,使得键合表面达到2 nm级的表面粗糙度。
3) reactive ion beam etching system/RIBE system
反应性离子束蚀刻系统
4) reactive ion etching
反应离子刻蚀
1.
Simulation of Reactive Ion Etching;
反应离子刻蚀的计算机仿真
2.
With electron beam lithography and reactive ion etching techniques we are able to produce graphite patterns of sizes down to 50 nm.
首先,发现用聚焦离子束(镓离子)刻蚀高定向热解石墨,可以得到边缘整齐程度在几十纳米的石墨条,另外,用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺,可以得到最小尺寸为50nm的纳米石墨图型(nanosizedgraphitepattern,纳米尺寸的多层石墨结构)。
3.
A reactive ion etching(RIE) cleaning the residual resist layer away by O_2 was presented in UV-imprint lithography.
针对紫外(UV)压印光刻在压印工艺过程中会产生阻蚀胶残膜的技术特点,采用以O2为反应气体来清除阻蚀胶残膜的反应离子刻蚀(RIE)工艺方法,研究了不同的反应气体流量、反应腔室压力、射频功率等刻蚀参数对刻蚀速率和刻蚀各向异性的影响,得到了刻蚀速率和刻蚀各向异性随各刻蚀参数的变化趋势图。
5) RIE
反应离子刻蚀
1.
The Edge Effect in High Power RIE and Compensatory Approach;
反应离子刻蚀中的边缘效应及其补偿办法
2.
Modeling for Charging Effect during RIE Processing;
反应离子刻蚀工艺中的充电效应
3.
Surfaces topographies on Si wafer substrates with different dimesions have been produced by photolithography and reactive ion etching(RIE),and subsequently titanium dioxide films were coated on them via sol-gel method.
采用光刻技术和反应离子刻蚀法(RIE)先在硅表面制备出一系列平面尺寸不同的微图形阵列,然后采用溶胶凝胶(sol-gel)浸渍提拉法在其表面制备出均匀致密、表面粗糙度一致的锐钛矿型纳米晶TiO2薄膜。
6) deep reactive ion etching
深反应离子刻蚀
1.
The rooting effect of the structure in deep reactive ion etching (DRIE) process was investigated.
给出了加速度计的制作工艺流程,研究了解决深反应离子刻蚀过程中的过刻蚀现象的方法。
补充资料：离子束刻蚀
离子束刻蚀以离子束为刻饰手段达到刻饰目的的技术，其分辨率限制于粒子进入基底以及离子能量耗尽过程的路径范围。离子束最小直径约10nm，离子束刻蚀的结构最小可能不会小于10nm。目前聚焦离子束刻蚀的束斑可达100nm以下，最少的达到10nm，获得最小线宽12nm的加工结果。相比电子与固体相互作用，离子在固体中的散射效应较小，并能以较快的直写速度进行小于50nm的刻饰，故而聚焦离子束刻蚀是纳米加工的一种理想方法。此外聚焦离子束技术的另一优点是在计算机控制下的无掩膜注入，甚至无显影刻蚀，直接制造各种纳米器件结构。但是，在离子束加工过程中，损伤问题比较突出，且离子束加工精度还不容易控制，控制精度也不够高。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条