1) Reactive Ion etching (RIE)
反应离子刻蚀(RIE)
2) reaction ion etching(RIE)
反应离子刻蚀RIE
3) reactive ion etching system/RIE system
反应性离子蚀刻系统/RIE 系统
4) reactive ion etching
反应离子刻蚀
1.
Simulation of Reactive Ion Etching;
反应离子刻蚀的计算机仿真
2.
With electron beam lithography and reactive ion etching techniques we are able to produce graphite patterns of sizes down to 50 nm.
首先,发现用聚焦离子束(镓离子)刻蚀高定向热解石墨,可以得到边缘整齐程度在几十纳米的石墨条,另外,用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺,可以得到最小尺寸为50nm的纳米石墨图型(nanosizedgraphitepattern,纳米尺寸的多层石墨结构)。
3.
A reactive ion etching(RIE) cleaning the residual resist layer away by O_2 was presented in UV-imprint lithography.
针对紫外(UV)压印光刻在压印工艺过程中会产生阻蚀胶残膜的技术特点,采用以O2为反应气体来清除阻蚀胶残膜的反应离子刻蚀(RIE)工艺方法,研究了不同的反应气体流量、反应腔室压力、射频功率等刻蚀参数对刻蚀速率和刻蚀各向异性的影响,得到了刻蚀速率和刻蚀各向异性随各刻蚀参数的变化趋势图。
5) RIE
反应离子刻蚀
1.
The Edge Effect in High Power RIE and Compensatory Approach;
反应离子刻蚀中的边缘效应及其补偿办法
2.
Modeling for Charging Effect during RIE Processing;
反应离子刻蚀工艺中的充电效应
3.
Surfaces topographies on Si wafer substrates with different dimesions have been produced by photolithography and reactive ion etching(RIE),and subsequently titanium dioxide films were coated on them via sol-gel method.
采用光刻技术和反应离子刻蚀法(RIE)先在硅表面制备出一系列平面尺寸不同的微图形阵列,然后采用溶胶凝胶(sol-gel)浸渍提拉法在其表面制备出均匀致密、表面粗糙度一致的锐钛矿型纳米晶TiO2薄膜。
6) deep reactive ion etching
深反应离子刻蚀
1.
The rooting effect of the structure in deep reactive ion etching (DRIE) process was investigated.
给出了加速度计的制作工艺流程,研究了解决深反应离子刻蚀过程中的过刻蚀现象的方法。
补充资料：离子束刻蚀（ion-beametching）
离子束刻蚀（ion-beametching）
离子束刻蚀，也称为离子铣，它的主要原理是当定向高能离子向固体靶撞击时，能量从入射离子转移到固体表面原子上，如果固体表面原子间结合能低于入射离子能量时，固体表面原子就会被移开或从表面上被除掉。通常离子束刻蚀所用的离子来自惰性气体。为了保证刻蚀的均匀性，离子束密度必须均匀并且应具有相同能量。此外，系统内的压力必须足够低，以防止离子束被散射。离子束刻蚀的机构决定了这种刻蚀有好的各向异性，又因为粒子尺寸是离子或原子量级的，因而这种刻蚀也具有较高的分辨率。这种技术的主要限制是刻蚀过程引起温升，这将使光刻胶很难除掉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条