1) reactive shockwave
反应激波刻蚀
1.
In this paper,based on the focused of pulse ultrasound technology,reactive shockwave etching is presented which utilizes the highenergy transient pressure wave due to the non-linear propagation effects of which a shockwave generator produces series focused of pulse ultrasound of 1 MHz or so.
提出基于脉冲超声波聚焦的反应激波刻蚀加工方法,采用大功率压电陶瓷激波发生器,在液体介质中产生聚焦脉冲超声波(频率1 MHz),由于传输过程中形成的非线性效应形成高能、瞬时压力激波,结合化学腐蚀方法,利用物理和声化学作用,使位于聚焦区域的材料迅速蚀除。
2) reactive ion etching(RIE)
反应刻蚀
1.
This work presents the study results of using inductively coupled plasma(ICP)-reactive ion etching(RIE) for fabricating InSb mesa with CH4/H2/Ar plasma.
利用感应耦合等离子(ICP)反应刻蚀(RIE)进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。
3) reactive ion etching
反应离子刻蚀
1.
Simulation of Reactive Ion Etching;
反应离子刻蚀的计算机仿真
2.
With electron beam lithography and reactive ion etching techniques we are able to produce graphite patterns of sizes down to 50 nm.
首先,发现用聚焦离子束(镓离子)刻蚀高定向热解石墨,可以得到边缘整齐程度在几十纳米的石墨条,另外,用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺,可以得到最小尺寸为50nm的纳米石墨图型(nanosizedgraphitepattern,纳米尺寸的多层石墨结构)。
3.
A reactive ion etching(RIE) cleaning the residual resist layer away by O_2 was presented in UV-imprint lithography.
针对紫外(UV)压印光刻在压印工艺过程中会产生阻蚀胶残膜的技术特点,采用以O2为反应气体来清除阻蚀胶残膜的反应离子刻蚀(RIE)工艺方法,研究了不同的反应气体流量、反应腔室压力、射频功率等刻蚀参数对刻蚀速率和刻蚀各向异性的影响,得到了刻蚀速率和刻蚀各向异性随各刻蚀参数的变化趋势图。
4) RIE
反应离子刻蚀
1.
The Edge Effect in High Power RIE and Compensatory Approach;
反应离子刻蚀中的边缘效应及其补偿办法
2.
Modeling for Charging Effect during RIE Processing;
反应离子刻蚀工艺中的充电效应
3.
Surfaces topographies on Si wafer substrates with different dimesions have been produced by photolithography and reactive ion etching(RIE),and subsequently titanium dioxide films were coated on them via sol-gel method.
采用光刻技术和反应离子刻蚀法(RIE)先在硅表面制备出一系列平面尺寸不同的微图形阵列,然后采用溶胶凝胶(sol-gel)浸渍提拉法在其表面制备出均匀致密、表面粗糙度一致的锐钛矿型纳米晶TiO2薄膜。
5) deep reactive ion etching
深反应离子刻蚀
1.
The rooting effect of the structure in deep reactive ion etching (DRIE) process was investigated.
给出了加速度计的制作工艺流程,研究了解决深反应离子刻蚀过程中的过刻蚀现象的方法。
6) reactive ion beam etching (RIBE)
反应离子束蚀刻
1.
The silicon wafers were highly polished by reactive ion beam etching (RIBE) until surface micro-roughness was under 2 nm, and the hydrophilic glass and oxidized silicon wafer were dried and initially bonded in air for appropria.
利用反应离子束蚀刻(RIBE)对基片进行抛光,使得键合表面达到2 nm级的表面粗糙度。
补充资料：电化学刻蚀
分子式：
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条