1) alkaline strippable resist
由碱可除光刻胶
2) photoresist stripping
光刻胶去除技术
1.
Recently, more attention has been paid to a novel photoresist stripping technology based on atmospheric pressure plasma.
光刻胶去除技术在微电子工业中占有非常重要的地位,约占集成电路制造工艺的30-35%,去胶的好坏直接影响产品的成品率及器件和电路的制造成本。
3) discum
去除光刻胶底膜
4) photorisister dry strip
光刻胶干式剥除
5) variable threshold resist model
可变阈值光刻胶模型
1.
A modified aerial image was obtained by convolving the aerial image with a Gaussian filter to smear the image in a manner analogous to resistive diffusion, and then applying a variable threshold resist model on the modified image to predict the CD (critical dimension) variations.
用高斯滤波器与空间影像进行卷积,得到改进的空间影像来模拟光刻胶的扩散,然后使用可变阈值光刻胶模型,以实际工艺数据拟合该模型参数,再把改进空间影像的相关信息作为输入,并根据可变阈值光刻胶模型所确定的光强阈值来预测CD(criticaldimension)变化,从而使光刻仿真的结果更精确地附合实际测量数据。
6) photoresist
[,fəutəuri'zist]
光刻胶
1.
Progress in the Research of Chemical Amplified Photoresist;
化学放大光刻胶高分子材料研究进展
2.
Research on thick photoresist mask electroplating process in micro-fabrication;
微加工厚光刻胶掩膜电镀工艺研究
3.
Key technique of photoresist through-mask Electrochemical micromachining;
光刻胶掩膜微细电化学加工参数的试验研究
补充资料：负性光刻胶
分子式：
CAS号：
性质：光加工是指以可见紫外光、X射线、电子束、或者离子束作为加工手段的材料处理工艺，具有加工精度高，容易自动化等特点，广泛用于集成电路和印刷电路板制造、印刷制版等领域。光加工用高分子材料指在光作用下材料物性或外形发生变化，以实现对被照材料本身或者被其覆盖材料加工处理的聚合材料。在这类材料中最重要的是在集成电路、激光照排制版和印刷电路制备中使用的光刻胶。根据光与聚合物之间发生的作用机理不同，可以分成光聚合或光交联型光刻胶，也称为负性光刻胶；光分解型光刻胶，也称为正性光刻胶。除了光刻胶之外，光敏涂料，光敏胶等在广义上也属于光加工高分子材料。采用激光引发聚合直接将聚合物零件加工成型的方法也引起工业界的广泛关注，成为结构复杂高分子零部件光加工用高分子材料中的重要成员，其特点是摆脱了模具束缚，可以完全由计算机设计、控制加工。
CAS号：
性质：光加工是指以可见紫外光、X射线、电子束、或者离子束作为加工手段的材料处理工艺，具有加工精度高，容易自动化等特点，广泛用于集成电路和印刷电路板制造、印刷制版等领域。光加工用高分子材料指在光作用下材料物性或外形发生变化，以实现对被照材料本身或者被其覆盖材料加工处理的聚合材料。在这类材料中最重要的是在集成电路、激光照排制版和印刷电路制备中使用的光刻胶。根据光与聚合物之间发生的作用机理不同，可以分成光聚合或光交联型光刻胶，也称为负性光刻胶；光分解型光刻胶，也称为正性光刻胶。除了光刻胶之外，光敏涂料，光敏胶等在广义上也属于光加工高分子材料。采用激光引发聚合直接将聚合物零件加工成型的方法也引起工业界的广泛关注，成为结构复杂高分子零部件光加工用高分子材料中的重要成员，其特点是摆脱了模具束缚，可以完全由计算机设计、控制加工。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条