1) minority-electron density
少数载流子电子密度
2) equilibrium minority-electron density
平衡少数载流子电子密度
3) excess minority-carrier density
过剩少数载流子密度
4) minority-hole density
少数载流子空穴密度
5) minority carrier concentration
少数载流子浓度
1.
In this paper the minority carrier concentration is calculated analytically with the varying of the temperature T,Ge fraction x and doping concentration.
采用解析的方法计算了少数载流子浓度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系。
2.
In this paper, the intrinsic carrier concentration, the minority carrier concentrationand the ratio of hole concentration to impurity concentration are calculated analyticallywith the varing of the temperature T, Ge fraction x and doping concentration.
本文在前人研究的基础上，利用解析方法研究了应变Si_(1-x)Ge_x层中本征载流子浓度、少数载流子浓度、p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系。
6) equilibrium minority-hole density
平衡少数载流子空穴密度
补充资料：少数载流子
分子式：
CAS号：
性质：在掺杂半导体，即非本征半导体中，对电导贡献很小的载汉子，简称少子，如n型半导体的空穴，p型半导体的电子。
CAS号：
性质：在掺杂半导体，即非本征半导体中，对电导贡献很小的载汉子，简称少子，如n型半导体的空穴，p型半导体的电子。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条