1) minority carrier diffusion
少数载流子扩散长度
2) diffuse length of few carrier running electron
少子扩散长度
1.
It is expounded that basic principle and calculate method,and diffuse length of few carrier running electron for GaP LPE sample flat by use of EBIC is determined.
阐述了E-BIC的基本原理和计算方法,并利用EBIC对一组GaP绿色LED用LPE样片进行少子扩散长度测量。
3) minority carrier concentration
少数载流子浓度
1.
In this paper the minority carrier concentration is calculated analytically with the varying of the temperature T,Ge fraction x and doping concentration.
采用解析的方法计算了少数载流子浓度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系。
2.
In this paper, the intrinsic carrier concentration, the minority carrier concentrationand the ratio of hole concentration to impurity concentration are calculated analyticallywith the varing of the temperature T, Ge fraction x and doping concentration.
本文在前人研究的基础上，利用解析方法研究了应变Si_(1-x)Ge_x层中本征载流子浓度、少数载流子浓度、p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系。
4) Minority Carrier Diffusion Length or Lifetime
少子扩散长度或寿命
5) carrier diffusion
载流子扩散
1.
Effect of carrier diffusion on modulation transfer function of CCD
载流子扩散对CCD调制传递函数的影响
2.
The mechanism of carrier diffusion in a charge coupled device is discussed using surface channel and front illumination as example.
以表面沟道前射电荷耦合器件 (CCD)为例 ,从理论上讨论了 CCD内载流子扩散的机制 ,提出了利用光积分周期内收集的总信号电荷密度求 CCD调制传递函数的方法 ,并获得了耗尽宽度随信号电荷密度改变时的 CCD调制传递函数曲线 ,讨论了载流子扩散对传递函数的影响 。
6) minority-electron density
少数载流子电子密度
补充资料：少数载流子
分子式：
CAS号：
性质：在掺杂半导体，即非本征半导体中，对电导贡献很小的载汉子，简称少子，如n型半导体的空穴，p型半导体的电子。
CAS号：
性质：在掺杂半导体，即非本征半导体中，对电导贡献很小的载汉子，简称少子，如n型半导体的空穴，p型半导体的电子。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条