1) minority-carrier charge storage
少数载流子电荷存储
3) minority-electron density
少数载流子电子密度
4) minority carrier
少数载流子
1.
A modified photo-induced open-circuit voltage decay method has been developed to measure the photo-generated minority carrier lifetime in HgCdTe photovoltaic detectors.
采用改进的光致开路电压衰退方法测量了不同组分Hg1-xCdxTe光伏探测器中光生少数载流子寿命。
2.
On the basis of analysis on the diffusion of minority carrier and the equivalent circuit of the LAPS, the effects of various parameters on LAPS are deduced, and a basis for fabrication of high performance LAPS is set.
详细阐述了LAPS的基本构造 ,并通过分析LAPS的电路模型及少数载流子的影响得出了各种参数对LAPS的影响 ,从而为制造高性能的LAPS提供了理论基础。
3.
The fundamental principle and calculation method to measure the minority carrier diffusion length,lifetime and bulk Fe content by surface photovoltage method were introduced.
介绍了用表面光电压(SPV)法测试少数载流子的扩散长度、少子寿命和体Fe含量的基本原理及其计算方法,分析了三种常见外延结构中少子扩散长度的测试方法及其影响因素,得出了用于表面光电压测试的外延片及衬底片应满足的条件。
5) carrier storage effect
载流子存储效应
6) carrier storage time
载流子存储时间
补充资料：少数载流子
分子式：
CAS号：
性质：在掺杂半导体，即非本征半导体中，对电导贡献很小的载汉子，简称少子，如n型半导体的空穴，p型半导体的电子。
CAS号：
性质：在掺杂半导体，即非本征半导体中，对电导贡献很小的载汉子，简称少子，如n型半导体的空穴，p型半导体的电子。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条