1) minority-carrier injection
少数载流子注入
2) minority carrier
少数载流子
1.
A modified photo-induced open-circuit voltage decay method has been developed to measure the photo-generated minority carrier lifetime in HgCdTe photovoltaic detectors.
采用改进的光致开路电压衰退方法测量了不同组分Hg1-xCdxTe光伏探测器中光生少数载流子寿命。
2.
On the basis of analysis on the diffusion of minority carrier and the equivalent circuit of the LAPS, the effects of various parameters on LAPS are deduced, and a basis for fabrication of high performance LAPS is set.
详细阐述了LAPS的基本构造 ,并通过分析LAPS的电路模型及少数载流子的影响得出了各种参数对LAPS的影响 ,从而为制造高性能的LAPS提供了理论基础。
3.
The fundamental principle and calculation method to measure the minority carrier diffusion length,lifetime and bulk Fe content by surface photovoltage method were introduced.
介绍了用表面光电压(SPV)法测试少数载流子的扩散长度、少子寿命和体Fe含量的基本原理及其计算方法,分析了三种常见外延结构中少子扩散长度的测试方法及其影响因素,得出了用于表面光电压测试的外延片及衬底片应满足的条件。
3) carrier injection
载流子注入
1.
The coulumb effect on the carrier injection process of BN nanotube;
BN纳米管载流子注入的库伦效应
2.
The carrier injection process of polymer light-emitting diodes (PLEDs) with MEH-PPV(poly[2-methoxy,5-(2-ethylhexoxy)-1,4-phenylene vinylene]) as the light-emitting layer, was investigated using impedance spectroscopy, capacitance-voltage (C-V) and capacitance-frequency (C-F) techniques.
采用交流阻抗谱,电容-电压,电容-频率等实验方法,研究了共轭高分子MEH-PPV(poly[2-methoxy,5-(2-ethylhexoxy)-1,4-phenylene vinylene])发光二极管的载流子注入过程。
3.
The process of carrier injection is one of the most fundamental physical processes in PLED.
聚合物发光器件载流子注入过程是器件的一个基本物理过程，它对器件的许多重要性能都有重要的影响，为了提高电子的注入，经常在聚合物发光器件阴极与有机发光层之间插入一层介质修饰层，为了解阴极修饰层厚度变化时阴极电子的注入特性，本文制作了以MEH-PPV为有机发光层的聚合物电致发光器件，阴极修饰材料用LiF，当只改变LiF厚度时，一定电压下，器件的电流值随之先增大，而后又减小，这说明LiF在作为阴极修饰层时，存在一个最优厚度，这时电子注入势垒较低。
4) injection carrier
注入载流子
1.
The variation of reflectance spectrum induced by injection carrier in GaAlAs film is studied experimentally.
实验研究了GaAlAs膜反射谱的注入载流子感生变化,给出不同浓度载流子注入后膜反射谱变化曲线及其与注入载流子浓度的关系曲线。
5) minority carrries injection
少子注入
6) minority carrier lifetime
少数载流子寿命
1.
The minority carrier lifetime ( τ ) in the base region of a solar cell is one of the most important parameters that affects the conversion efficiency of the device.
太阳电池基区的少数载流子寿命是影响电池效率的重要因素之一。
2.
A new method of microwave reflectance applied in measurement for the minority carrier lifetime in HgCdTe is introduced.
介绍了用微波反射法测量HgCdTe中的少数载流子寿命 ,分析了其测量原理 ,并与接触式的光电导衰减法进行了对比。
3.
Through measuring I-V character of solar cells, short circuit current and open circuit voltage and series resistant and shunt resistant could be gained, and then minority carrier lifetime and dark saturation current are calculated by the new method.
本文通过对测试少数载流子寿命的各种方法进行分析后提出了一种新的测量成品太阳电池基区少数载流子寿命的方法,这种方法通过分析太阳电池的Ⅰ-Ⅴ特性得到基区少数载流子寿命与太阳电池开路电压、短路电流的关系。
补充资料：载流子注入（carrierejection）
载流子注入（carrierejection）
半导体通过外界作用而产生非平衡载流子的过程称作载流子注入。利用光照在半导体内引入非平衡载流子的方法称为载流子的光注入。除光照外，还可以利用电的或其他能量传递方式在半导体中注入载流子，最常用的是电的方法，称作载流子电注入。电注入载流子现象的发现直接导致半导体放大器的发明。
在不同条件下，载流子注入的数量是不同的。当注入载流子浓度与热平衡时多数载流子浓度相比很小时，多数载流子浓度基本不变，而少数载流子浓度近似等于注入载流子浓度，这通常称作小注入情况；若注入载流子浓度可与多数载流子浓度相比，则称作大注入情况。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条