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1)  charge store
存储电荷
2)  charge storage
电荷存储
3)  charge storage
电荷储存
1.
Hopping current and charge storage in crystal polymer electret;
结晶聚合物驻极体中的跳跃电流和电荷储存
2.
The stability of charge storage of the SiO_2 film electret is improved by the plasma surface treatment of the thermal grown SiO_2 film on the Si substrate.
同种等离子体处理的时间不同,对电荷储存性能的改善也不同。
3.
The characteristics of charge storage in APCVD Si 3N 4/thermal\|grown SiO 2 double layers electret films, charged by coroma were investigated by measurements of isothermal surface potential decay and thermally stimulated discharge(TSD).
结果表明 :在常温环境中 ,30 0℃高温下 ,以及 95 %相对湿度时的 6 0℃条件下 ,所有试样表现出极好的电荷储存稳定性 。
4)  charge-storage tube
电荷储存管
5)  charge accumulator
电荷存储器
6)  storage tube
电荷存储管
补充资料:电荷耦合器件存储器


电荷耦合器件存储器
charge-coupled device memory

  d ianhe ou阳qilian eunehuql电荷报合器件存储器(cha飞卜份up砚device叮沈.曰叮)利用具有电荷储存功能和电荷转移功能的电荷辆合器件(CCD)构成的串行存储器。电荷藕合器件是利用场效应管的结电容来保存电荷,电荷的存储量大小取决于电极大小、形状和结构,以及材料的势垒。电荷转移的过程则是利用两相或三相时钟进行控制。电荷祸合器件的输人部分由输人接触电阻、二极管和输人门组成。电荷通过输人接触电阻注人到第一个输人门的结电容上,这个电路的充电时间常数远小于时钟周期,因此在下一个时钟脉冲来到之前,结电容能充电完毕,其上的电压与电荷量成正比。在下一个时钟脉冲到来时,利用二极管的反向特性将第一个门与输人电路隔开,并将第一个门上的电荷转移到第二个门,存储在第二个门。电荷辆合器件的输出部分由金属一半导体场效应管(N正污FET)组成,在时钟的控制下,电荷从输人门转移到场效应管的控制栅上,经放大后形成电压输出。 电荷藕合器件有直线型和平面型两种。直线型电荷祸合器件的电荷检测单元排成一行,两侧是电荷转移单元,如图1所示。平面型在原理上与直线型没有什么差别,结构上不同的是电荷检测单元排成矩阵形式(例如100 x 100或2扔x 100的结构),电荷转移单元则放在两行电荷检测单元之间。 时钟 出 精卜户es枯出放大器电荷转移单兄瓤斑喊颇当.二电黔电荷转移单元时钟 图1直线型电荷祸合器件结构原理 电荷的输入有两种方式。一是利用光照射电荷检测单元,每个单元将接收到的光通量转换成电荷量。这样可将连续一片的光分解成一个个象素,便于进行数字化处理。另一种输人方法是通过PN结将电荷注人到第一个电荷检测单元,在时钟控制下逐步转移到第二单元、第三单元。这样可将串行的电荷量转变为并行的电压量,在时钟控制下输出。 电荷祸合器件功耗低,尺寸小,灵敏度高,可靠性好,抗震耐冲击,因此很早就应用于摄象机和扫描仪器设备中,还用于光学符号识别和模式识别等图象信息处理设备中。另外,它作为模拟信号的存储器,作为时序存储器、串并转换器,在计算机中也有应用。 电荷祸合器件的发展方向是提高集成度和工作速度。目前已有光灵敏度达580 xliw,集成度为每芯片32万个象素的产品问世。 (黄德金)
  
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