1) a-Si:H film
掺氢非晶硅薄膜
2) born-doped a-Si:H films
掺硼非晶硅薄膜
3) P-doped a-Si:H thin films
掺磷非晶硅薄膜
4) a-Si:H thin film
氢化非晶硅薄膜
1.
Analysis of IR transmission spectra and hypothesis of bond-centered H diffusion in a-Si∶H thin films during light-induced thermal annealing;
氢化非晶硅薄膜的红外光谱分析和桥键氢扩散假设(英文)
5) a-C∶Br∶H
掺溴非晶碳氢薄膜
1.
Bromine doped hydrogenated amorphous carbon(a-C∶Br∶H)thin films were deposited on silicon wafers by rf.
56MHz射频等离子体化学气相淀积方法(RF-PECVD)在硅片衬底上生长了掺溴非晶碳氢薄膜(a-C∶Br∶H)。
6) a-Si:H TFT
氢化非晶硅薄膜晶体管
补充资料：稀土-铁族金属非晶薄膜磁光材料
分子式：
CAS号：
性质：用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似，在补偿温度(Tcomp)附近，霍尔系数R1改变符号，当T<Tcomp时，R1为负，相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
CAS号：
性质：用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似，在补偿温度(Tcomp)附近，霍尔系数R1改变符号，当T<Tcomp时，R1为负，相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条