1) a Si:H film
非晶硅氢合金薄膜
1.
Poly silicon film is a new functional material, which has both the advantages of c Si and a Si∶H films.
多晶硅薄膜是集晶体硅材料和非晶硅氢合金薄膜优点于一体 ,在能源科学、信息科学的微电子技术中有广泛应用的一种新型功能材料。
2) a-Si:H thin film
氢化非晶硅薄膜
1.
Analysis of IR transmission spectra and hypothesis of bond-centered H diffusion in a-Si∶H thin films during light-induced thermal annealing;
氢化非晶硅薄膜的红外光谱分析和桥键氢扩散假设(英文)
3) a-Si:H film
掺氢非晶硅薄膜
4) a-Si:H TFT
氢化非晶硅薄膜晶体管
5) amorphous silicon carbon films
非晶氢化硅碳薄膜
6) a-Si thin film
非晶硅薄膜
1.
An a-Si thin film diodes with big current densities and high on/off ratios was presented by PECVD technology.
报道了采用PECVD薄膜沉积技术制备的大电流、高开关比非晶硅薄膜二极管,在制备工艺温度低于200℃下,获得正向电流密度大于50A/cm-2,±3V偏压时开关比接近105的优质非晶硅薄膜二极管,完全符合三维集成电路(3D IC)中三维只读存储器(3D ROM)的要求。
补充资料：稀土-铁族金属非晶薄膜磁光材料
分子式：
CAS号：
性质：用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似，在补偿温度(Tcomp)附近，霍尔系数R1改变符号，当T<Tcomp时，R1为负，相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
CAS号：
性质：用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似，在补偿温度(Tcomp)附近，霍尔系数R1改变符号，当T<Tcomp时，R1为负，相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条