1) boron-doped a-Si:H
掺硼非晶氢化硅
2) boron doped a-Si resistor
掺硼非晶硅电阻
3) born-doped a-Si:H films
掺硼非晶硅薄膜
4) boron-doped amorphous silicon
硼掺杂非晶硅
5) a-Si:H film
掺氢非晶硅薄膜
6) hydrogenated amorphous silicon
氢化非晶硅
1.
We report the fabrication and operation of an optically addressed spatial light modulator(OASLM), consisting of a hydrogenated amorphous silicon (α-Si: H) pin photodiode as a photosensor and a twist nematic liquid crystal(TNLC) as the modulating material.
报道了用氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）ｐｉｎ二极管作光敏层，扭曲向列型液晶（ＴＮＬＣ）作电光调制层的光寻址空间光调制器（ＯＡＳＬＭ）的设计、制作与性能测试。
2.
The general structure and operation of the hydrogenated amorphous silicon/ ferroelectric liquid crystal spatial light modulators(FLCSLMs) were described in detail.
描述了氢化非晶硅／铁电液晶空间光调制器的结构和工作原理，并从器件的电学模型出发，着重讨论了整体器件对光敏层的特性要求，对ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜ｐ－ｉ－ｎ光敏层的制作和光电特性进行了研
3.
The hydrogenated amorphous silicon thin film (a-Si∶H) is an important light-sensitive material.
氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)是目前重要的光敏材料,而薄膜中的H含量及组态对薄膜的稳定性有着极其重要的影响。
补充资料：氢化非晶硅（amorphousSi:H）
氢化非晶硅（amorphousSi:H）
含有大量硅氢键的非晶硅称为氢化非晶硅即a-Si:H或非晶硅氢合金，a-Si:H中含氢量达3～50。a-Si:H通常采用辉光放电法或溅射法制备，其电导及光电性质密切依赖于制备条件。a-Si:H中的氢能够补偿非晶硅中大量存在的悬挂键，使其缺陷态密度大大降低，从而导致a-Si:H具有显著的掺杂效应，电导率可改变约10个量级。a-Si:H具有比晶体硅更高的光电导响应，光电导与暗电导比值可达104～105。a-Si:H的光学带隙约1.7eV，对整个太阳光谱的吸收系数大于104cm-1，1μm厚的a-Si:H薄膜可以实现对太阳光谱的完全吸收，因此它成为廉价太阳电池的基础材料。a-Si:H的另一重要用途是用a-Si:H制作的薄膜场效应管作为液晶显示屏的开关矩阵。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条