2) AgGaS2 single crystal
硫镓银单晶体
3) silver gallium disulphide crystal
二硫化镓银晶体
4) silver selenogallate crystal
硒镓银晶体
5) AgGa_(1-x)In_xSe_2 crystal
硒铟镓银晶体
6) silver selenogallate Single crystal
硒镓银单晶体
补充资料：二硫化镓银晶体
分子式： AgGaS2
CAS号：
性质：周期表第Ⅰ,III,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定的离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构,晶格常数0.575nm。为直接带隙半导体,室温禁带宽度2.70eV。熔点1040℃。采用化学气相沉积、定向凝固等方法制备。为可见光发光材料和非线性光学材料。
CAS号：
性质：周期表第Ⅰ,III,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定的离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构,晶格常数0.575nm。为直接带隙半导体,室温禁带宽度2.70eV。熔点1040℃。采用化学气相沉积、定向凝固等方法制备。为可见光发光材料和非线性光学材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条