1) InP
磷化铟
1.
Research of breakdown characteristic of InP composite channel HEMT;
磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究
2.
Ohmic Contact for InP-Based HEMTs;
磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺
3.
A new small signal physical model of InP-based composite channel high electron mobility transistor;
一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型
2) Indium phosphide
磷化铟
1.
A wet etching process for backside via holes suitable for use on InP MMICs technologies is developed for indium phosphide substrate.
采用湿法技术发展了磷化铟 MMIC的背面通孔刻蚀工艺 ,PMMA用作粘片剂 ,In P衬底粘附于玻璃版上 ,溅射钽膜用作湿法刻蚀掩膜 ,HCl+H3PO4 腐蚀液实现 10 0 μm的通孔腐蚀 。
3) InP-based
磷化铟基
4) InP/Si
磷化铟/硅
5) InGaAs/InP
铟镓砷/磷化铟
6) indium aluminum arsenic phosphide
磷砷化铝铟
补充资料：磷化铟
分子式： InP
CAS号：
性质：沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75MPa。极微溶于无机酸。介电常数10.8。电子迁移率4600cm2/(V·s)。空穴迁移率150cm2/(V·s)。具有半导体的特性。由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制得。用作半导体材料，用于光纤通信技术。
CAS号：
性质：沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75MPa。极微溶于无机酸。介电常数10.8。电子迁移率4600cm2/(V·s)。空穴迁移率150cm2/(V·s)。具有半导体的特性。由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制得。用作半导体材料，用于光纤通信技术。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条