1) InSb-In thin film
锑化铟-铟薄膜
2) InSb-In
锑化铟-铟
1.
A kind of InSb-In eutectic film based magnet sensitive resistance is adopted for replacing the Hall sensing element in automotive electronic ignition system.
根据汽车点火系统的要求,综合考虑价格因素及实际的安装结构,设计了一种用锑化铟-铟共晶体磁敏电阻代替霍耳元件的电子点火系统,该系统不改变原系统的机械结构,仅在原分电器的基础上做微小的改动,因此其安装简便,且价格便宜,可以投入实施。
2.
A relatively omnidirectional vibration sensor made of InSb-In eutectic film magnetoresistance is introduced.
本文最新研制了一种用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻制成的准全方位振动传感器。
4) InSb
锑化铟
1.
Application of HMDS in the Lithography Technology of InSb;
增黏剂(HMDS)在锑化铟光刻工艺中的应用
2.
Atmospheric Absorption Influence to Temperature Measurement for InSb Infrared Thermography;
锑化铟红外热像仪测温的大气修正计算
3.
Research of High Sensitivity InSb IR Detector;
高灵敏度室温锑化铟红外探测器研制
5) Indium-antimonide
锑化铟(InSb)
6) indium antimonide
锑化铟<冶>
补充资料：磷砷化铝铟
分子式：InxAl1-xAsyP1-y， 0≤x≤1 0≤y≤1。
CAS号：
性质：周期表第Ⅲ，V族元素化合物半导体，立方晶系闪锌矿结构，禁带宽度随x，y变化而变化。为间接带隙半导体，可在磷化铟衬底上用液相外延等方法制备，用于制作可见光与近红外发光器件和激光器件。
CAS号：
性质：周期表第Ⅲ，V族元素化合物半导体，立方晶系闪锌矿结构，禁带宽度随x，y变化而变化。为间接带隙半导体，可在磷化铟衬底上用液相外延等方法制备，用于制作可见光与近红外发光器件和激光器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条