1) GaP epitaxial wafer
磷化镓外延片
2) GaAs epitaxial wafer
砷化镓外延片
4) ELO GaN
侧向外延氮化镓
5) gallium nitride epitaxial materials
氮化镓外延材料
6) gallium arsenide epitaxy material
砷化镓外延材料
补充资料:磷化镓外延片
分子式:
CAS号:
性质:在磷化镓衬底上用液相外延或气相外延法生长的磷化镓单晶薄层材料。是目前工业生产规模最大的化合物半导体发光二极管外延材料。生产方式大多为冷却法,操作方法有双箱法、浸渍法、滑动舟法等,设备容量一般为20~30片欲。采用垂直衬底架可达200片/次。
CAS号:
性质:在磷化镓衬底上用液相外延或气相外延法生长的磷化镓单晶薄层材料。是目前工业生产规模最大的化合物半导体发光二极管外延材料。生产方式大多为冷却法,操作方法有双箱法、浸渍法、滑动舟法等,设备容量一般为20~30片欲。采用垂直衬底架可达200片/次。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条