1) TMAH wet etching
TMAH湿法刻蚀
2) wet etching
湿法刻蚀
1.
Research on K9 glass wet etching for MOEMS devices;
应用于MOEMS器件的K9玻璃湿法刻蚀工艺的研究
2.
Study on the deep wet etching of the silicon for MEMS;
MEMS中硅的深度湿法刻蚀研究
3.
Influence of wet etching on the morphologies of Si patterned substrates and ZnO epilayers
湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响
3) wet-etching
湿法刻蚀
1.
Textured ZnO:B film with(110)peak was fabricated by MOCVD and CH3COOH wet-etching technique was proposed to treat the film surface.
本文制备出(110)峰取向的绒面结构MOCVD-ZnO:B薄膜并提出CH3COOH湿法刻蚀的表面处理技术。
2.
And some Preliminary Studies have been done to the wet-etching of the thin film.
通过台阶仪和扫描电镜、原子力显微镜测试观察了PVD方法制作Cr薄膜的溅射速率和表面形貌,实验分析了相关工艺参数对溅射速率的影响情况,并对薄膜的湿法刻蚀工艺进行了初步研究。
4) Wet etch
湿法刻蚀
1.
Underetch phenomenon in glass wet etch also played an important role to etch microchannels.
方法:以商品化的氧化铟锡(ITO)透明导电玻璃为芯片加工的基质材料,利用光刻胶AZ4620作为玻璃湿法刻蚀的掩模层,并应用玻璃湿法刻蚀过程中的钻蚀效应,快速、低成本地加工细胞培养芯片;将此芯片与聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄膜经氧等离子体作用后共价结合,整合温度控制系统、进样系统、信号检测系统等。
5) wet chemical etching
湿法化学刻蚀
6) selective wet etching
选择性湿法刻蚀
1.
InP/air-gap distributed Bragg reflector (DBR) with high reflectivity is fabricated by using selective wet etching.
采用选择性湿法刻蚀 ,制备出基于 In P/空气隙的分布布拉格反射镜 ,并将该结构的反射镜引入 RCE光电探测器 。
补充资料：电化学刻蚀
分子式：
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条