1) ZrN thin film
氮化锆薄膜
1.
A chromatic prediction model was developed by artificial neural network through analyzing the relationship between the technological parameters for ZrN thin film preparation and relevant chromatic parameters.
建立了氮化锆薄膜制备工艺参数与薄膜色度参数之间的人工神经网络预测模型,结果表明,预测结果与实测结果吻合,最大色差在5。
2) Nanon zirconium nitride films
纳米氮化锆薄膜
3) transparent zirconium nitride films
透明氮化锆薄膜
4) Zr-Si-N composite film
锆-硅-氮复合薄膜
1.
A series of Zr-Si-N composite films with different Si contents were prepared by reactive magnetron co-sputtering method.
通过磁控共溅射方法制备了一系列不同硅含量的锆-硅-氮复合薄膜;采用能谱仪、X射线衍射仪、扫描电镜和微力学探针等对复合薄膜进行了表征;研究了薄膜中硅、锆原子比对复合薄膜的显微组织、高温抗氧化性能和力学性能的影响。
5) ZrO_2 film
氧化锆薄膜
1.
Characters of ZrO_2 films deposited by electron beam evaporation at different oxygen partial pressure;
不同氧分压下电子束蒸发氧化锆薄膜的特性
6) nano ZrO2 film
纳米氧化锆薄膜
补充资料：氮化钛薄膜电阻材料
分子式：
CAS号：
性质：一种中阻值的薄膜电阻材料。电阻率(279～300) μΩ·cm，电阻温度系数小于±10-4/℃。采用反应蒸发、反应溅射和化学气相沉积等方法制取。主要用于薄膜混合集成电路中制作薄膜电阻器。
CAS号：
性质：一种中阻值的薄膜电阻材料。电阻率(279～300) μΩ·cm，电阻温度系数小于±10-4/℃。采用反应蒸发、反应溅射和化学气相沉积等方法制取。主要用于薄膜混合集成电路中制作薄膜电阻器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条