1) copper nitride film
氮化铜薄膜
1.
Copper nitride film and Fe-doped copper nitride film are deposited on glass substrates by reactive magnetron sputtering at N_2-gas partial pressure of 0.
5Pa、基底温度100℃条件下,在玻璃基底上分别制备了氮化铜薄膜和铁掺杂氮化铜薄膜。
2) Cu_3N films
氮化铜薄膜
1.
In recent years, there has been much interest in studying the properties of Cu_3N films.
目前使用最多、工艺相对成熟的制备氮化铜薄膜的方法是具有高效性和简便性的射频磁控溅射法。
3) copper nitride thin films
氮化铜薄膜
1.
Effect of nitrogen pressure on structure and optical band gap of copper nitride thin films;
氮分压对氮化铜薄膜结构及光学带隙的影响
4) Cu3N thin film
氮化铜薄膜
1.
Anode materials of Cu3N thin film were prepared on stainless steel by radio frequency magnetron sputtering.
采用射频磁控溅射法在不同温度的不锈钢基片上制备了氮化铜薄膜电极。
5) Cr-Cu-N film
铬-铜-氮薄膜
1.
Cr-Cu-N films were deposited using low energy ion beam assisted magnetron sputtering (IBAMS).
应用低能离子束辅助磁控溅射(IBAMS)沉积铬-铜-氮薄膜,研究了铜含量和轰击能量对薄膜结构、硬度和断裂韧度的影响。
6) Current Status of Research on Copper Nitride Films
氮化铜薄膜的研究
补充资料：氮化钛薄膜电阻材料
分子式：
CAS号：
性质：一种中阻值的薄膜电阻材料。电阻率(279～300) μΩ·cm，电阻温度系数小于±10-4/℃。采用反应蒸发、反应溅射和化学气相沉积等方法制取。主要用于薄膜混合集成电路中制作薄膜电阻器。
CAS号：
性质：一种中阻值的薄膜电阻材料。电阻率(279～300) μΩ·cm，电阻温度系数小于±10-4/℃。采用反应蒸发、反应溅射和化学气相沉积等方法制取。主要用于薄膜混合集成电路中制作薄膜电阻器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条