1) TaN film
氮化钽薄膜
2) tantalum nitride resistance film
氮化钽电阻薄膜
3) Ta-Al-N thin-films
钽铝氮薄膜
4) tantalum oxide films
氧化钽薄膜
1.
Microanalysis of tantalum oxide films deposited by dynamic ion beam mixing;
动态离子束混合沉积氧化钽薄膜的微观分析
2.
Ta/Tantalum Pentoxide/Ta (MIM) structure was fabricated to investigate the I-V characteristics of tantalum oxide films.
氧化钽薄膜中缺陷的存在和粗糙度增大容易引起漏电流增大,击穿强度降低。
5) tantalum nitride resistor
氮化钽膜电阻器
补充资料：氮化钽
分子式：
CAS号：
性质： 暗灰色粉末。六方晶结构，晶格常数α=0.518nm。密度14.36g/cm3。熔点3090℃，电阻率(180±10) μΩ·cm。显微硬度(106±75)MPa，超导转变温度1.2K。耐酸性能好，不溶于硝酸、盐酸和氟氢酸，易被硫酸和硝酸和过氧化氢混合液氧化。易和碳化钽生成类质同晶混合物，和氮化铪、碳化铪互溶。在1400℃以上真空中加热易分解。与氢氧化钾作用分解放出氨。由五氯化钽和氨气反应或700～1000℃下使钽粉和氮气反应生成。冶金中利用氮化钽分解制取高纯钽粉。利用其电阻温度小的特点制造电阻薄膜器件。
CAS号：
性质： 暗灰色粉末。六方晶结构，晶格常数α=0.518nm。密度14.36g/cm3。熔点3090℃，电阻率(180±10) μΩ·cm。显微硬度(106±75)MPa，超导转变温度1.2K。耐酸性能好，不溶于硝酸、盐酸和氟氢酸，易被硫酸和硝酸和过氧化氢混合液氧化。易和碳化钽生成类质同晶混合物，和氮化铪、碳化铪互溶。在1400℃以上真空中加热易分解。与氢氧化钾作用分解放出氨。由五氯化钽和氨气反应或700～1000℃下使钽粉和氮气反应生成。冶金中利用氮化钽分解制取高纯钽粉。利用其电阻温度小的特点制造电阻薄膜器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条