1) Ge/Si
锗/硅
1.
Hole storage characteristics in Ge/Si hetero-nanocrystal-based memories;
锗/硅异质纳米结构中空穴存储特性研究
2.
p-Channel Ge/Si Hetero-Nanocrystal Based MOSFET Memoryand Its Logic Array;
p沟道锗/硅异质纳米结构MOSFET存储器及其逻辑阵列
3.
The charge storage characteristic of Ge/Si double-layer quantum-dots floating-gate nano-memory was investigated.
设计了一种新型的存储器结构单元———锗/硅双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器。
2) Ge/Si
Ge/Si
1.
Above all, it s possible and feasible to fabricate a new photodetector based on Ge/Si.
为了克服Ge雪崩光电二极管 (APD)中因Ge的电子与空穴的碰撞离化系数相差不大带来的的较大噪声的缺点 ,拟研制一种新的器件———Ge/Si的吸收倍增分离雪崩光电二极管(SAM APD) 。
3) Ge/Si multilayer structures
Ge/Si纳米多层膜
4) nc-Ge/Si islands
nc-Ge/Si岛
5) Ge/Si multilayer
Ge/Si多层膜
1.
Study on the Photoluminescence Properties of Ge/Si multilayer Films Deposited by Magnetron Sputtering;
磁控溅射Ge/Si多层膜的发光特性研究
6) Ge Si antagostic action
锗-硅拮抗作用
参考词条
Ge/Si quantum-well
Ge/Si quantum dots
Ge-Si crystal
Ge/Si heterostructures
Ge/Si thin film
Ge/Si heterojunction
Ge/Si Superlattices
San Ge Si Pin
Ge/Si interdiffusion
Ge-Si interface
Gd-Ge-Si System
Ge/Si multilayer structures
Ge/Si(113)-(2×2) surface
Ge/Si 1 x y Ge xC y heterostructure
SiN/a-Si/a-Ge/(Si/Ge)_3 thin films
调节对策
离子自由基
补充资料：锗硅固溶体
| 锗硅固溶体 Ge Si solid solution 由锗和硅两种元素形成的溶解度无限的替位固溶体。又称锗硅合金。分为无定形、结晶型和超晶格3种。无定形锗硅固溶体主要用作太阳电池，其转换效率已达14.4％（理论值为20％）。结晶形锗硅固溶体分为单晶和多晶，主要用作温差电材料、红外和核辐射探测器材料。用作温差电材料的锗硅固溶体是一种高温材料，热端温度可达1000～1100℃，具有效率高（可达10％）、强度大、热稳定性好、抗辐射、重量轻等优点，常用于航天系统的温差发电器。超晶格是一种新型材料。它是由两种不同半导体薄层交替排列组成的周期列阵，通过在晶体衬底上一层叠一层地生长出两种不同半导体材料薄膜获得。可用作半导体光电子材料，如制作弹道晶体管和高电子迁移率晶体管、光电导探测器、集成光电子器件等。
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