1) Ge/Si thin film
Ge/Si薄膜材料
1.
The research of bias effect in fabricating Ge/Si thin film;
Ge/Si薄膜材料生长的偏压效应研究
2) Si/Ge Films
Si/Ge薄膜
3) SiN/a-Si/a-Ge/(Si/Ge)_3 thin films
SiN/a-Si/a-Ge/(Si/Ge)_3薄膜
4) Ge/Si heterostructures
Ge/Si异质材料
1.
Raman spectra had been used to study the regrowning of Ge/Si heterostructures made by magnitron sputter deposition after annealed.
实验结果显示 :Ge/Si异质材料在退火过程中的再生长受生长态条件限制 ,异质材料的最初生长情况决定了其在退火处理后的结构形
5) Si/Ge multilayer
Si/Ge多层膜
1.
Photoluminescence of Si/Ge multilayer films deposited by ion-beam sputtering;
溅射Si/Ge多层膜及其发光誊性研究
2.
The Si/Ge multilayers have been prepared by ion beam sputtering technique.
本文采用离子束外延技术制备了一系列的Si/Ge多层膜结构,对样品进行X射线和拉曼散射实验表征。
6) Ge/Si multilayer
Ge/Si多层膜
1.
Study on the Photoluminescence Properties of Ge/Si multilayer Films Deposited by Magnetron Sputtering;
磁控溅射Ge/Si多层膜的发光特性研究
补充资料：磁性材料2．薄膜磁性材料
磁性材料2．薄膜磁性材料
Magnetie Materials 2.Thin Film
在一定外加磁场作用下，其反磁化畴(磁矩取向与外磁场方向相反的畴)变为圆柱形磁畴。从膜面上看，这些柱形畴好像浮着的一群圆泡，故称磁泡或叫泡踌(另见磁性材料2.昨晶态磁性材料)。在特定的电路图形、电流方向和一定磁场情况下，可做到控制材料中磁泡的产生、传翰和消失，实现信息的储存和逻辑运算的功能。磁泡的直径在微米量级(0 .5~5协m)，每个磁泡的迁移率在1 .26~12.6em八s·A/m)〔 102一i03cm八s·oe)〕，因而可制成存储密度为兆位/cmZ(Mbit/cmZ)和数据处理速率为兆位/s(M肠t/s)的运算器件。磁泡器件经过近20年研究和开发，已取得广泛的实际应用。 对磁泡材料的主要要求是:(l)各向异性常数凡>粤斌，磁化强度从>外磁场强度H;(2)杂质缺陷小，2一~”~’.J泌~-一‘产’~~一~一’、~尹一~~~’J”均匀性好。目前研究得比较清楚的有铁氧体单晶薄膜和稀土一过渡金属薄膜。从制备工艺和性能稳定、器件开发等情况看，以铁氧体磁泡材料比较成熟，早期是用钙钦石型铁氧体单晶片来作磁泡材料，后为YIG单晶薄膜所取代。它是用液相外延法在Gd3Ga5OI:(简称GGO)基片上生成的单晶薄膜，其厚为微米量级。表4为稀土石榴石R3FesolZ的磁性;表5为一些磁泡材料的基本特性数值。农4稀土石抽石R.Fe‘ol，的磁性┌───────────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬─────┬────┬────┐│R │Y │Sm │EU │Gd │Tb │Dy │、Ho │Er │T】11 │Yb │Lu │├───────────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼─────┼────┼────┤│补偿温度，~p，K │ 560 │ 560 │ 570 │ 290 │ 246 │ 220 │ 136 │ 84│4
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条