1) Rapid Thermal Process/Very Low Pressure-Chemical Vapor Deposition
快速加热/超低压-化学气相淀积
2) VLP-CVD
超低压化学气相淀积
1.
Temperature Dependence of Self organized Growth of Ge Quantum Dots on Si Substrate by VLP-CVD;
对利用超低压化学气相淀积 (VLP CVD)技术在Si上自组织生长Ge量子点的特征进行了研究 ,发现生长温度对Ge量子点尺寸分布和密度的影响不同于分子束外延 (MBE)的结果 ,这种现象与VLP CVD表面控制反应模式有关。
3) LPCVD
低压化学气相淀积
1.
Research on Polysilicon Thin Film Technics by LPCVD;
低压化学气相淀积多晶硅薄膜工艺研究
2.
MOLECULAR DYNAMICS SIMULATION OF THE THICKNESS OF POLYCRYSTALLINE Si MEMBRANE PREPARED BY LPCVD;
低压化学气相淀积多晶硅薄膜膜厚的分子动力学模拟
3.
The internal stress in silicon-nitride thin films prepared by low-pressure chemical vapor deposition(LPCVD) was studied measured by XP-2 stylus profilometer.
研究了低压化学气相淀积SiN(LPCVD)介质薄膜的内应力,采用XP-2型台阶仪测量了SiN介质薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺参数,观察了反应气体流量比、淀积温度、反应室压力等因素对SiN薄膜内应力的影响。
4) 3UCVD
超高真空、超低压、深紫外光能辅助化学气相淀积
5) RTCVD
快速热化学气相沉积
1.
Processing conditions, characteristics of the substrate and the film deposited by RTCVD are discussed.
采用廉价国产硅粉拉制的低纯度颗粒硅带 (SSP)作为衬底 ,利用快速热化学气相沉积 (RTCVD)方法外延多晶硅薄膜并制作了转换效率达 4 5 %的薄膜太阳电池。
2.
Molecular beam epitaxy (MBE) is described along with three types of chemical vapor deposition: ultrahigh vacuum (UHV/CVD),atmospheric pressure (APCVD),and rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD).
本文描述了应用于SiGe外延的分子束外延 (MBE)、超高真空化学气相沉积 (UHV/CVD)、常压化学气相沉积 (APCVD)、快速热化学气相沉积 (RTCVD)等几种工艺及这几种工艺中的常见问题 ,并介绍了近来这些SiGe外延技术的改进 ,最后从器件角度对以上几种工艺特性进行了比较。
6) rapid thermal chemical vapor deposition
快速热化学气相沉积
1.
Polycrystalline silicon(poly Si)films(10—20μm)were grown by a rapid thermal chemical vapor deposition technique from SiH 2Cl 2 with a growth rate up to 10nm/s at the substrate temperature(Ts)of 1030℃.
报道了快速热化学气相沉积（ＲＴＣＶＤ）工艺制备多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）薄膜及电池的实验和结果。
2.
In this paper, we adopted rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD) and zone melti.
本文采用快速热化学气相沉积(RTCVD)和区熔再结晶(ZMR)相结合的方法，在SiSiC和Al_2O_3等陶瓷衬底上制备多晶硅薄膜，并初步探索了高温路线制备多晶硅薄膜太阳电池的相关工艺。
补充资料：化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积是一种气体反应过程。在这个过程中，由某些选定气体的热诱导分解在衬底上形成某种介质层。在硅平面器件及集成电路中最常用的是淀积SiO2，Si3N4和多晶硅。化学气相淀积也广泛用于半导体单晶薄膜的外延生长，特别是多层膜的外延生长。在光电子器件和微波器件的制作中尤其常用。CVD方法视工作时反应室中气体压强不同分为常压、低压和超低压CVD。根据化学反应能量提供方式不同可分为热分解、光加热、射频加热、热丝、光、等离子体增强和微波等离子体增强CVD。按反应气源不同又分为卤化物、氢化物和金属有机化合物CVD（MOCVD）。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条