1) rapidly chemical vapor infiltration
快速化学气相渗积法
2) RTCVD
快速热化学气相沉积
1.
Processing conditions, characteristics of the substrate and the film deposited by RTCVD are discussed.
采用廉价国产硅粉拉制的低纯度颗粒硅带 (SSP)作为衬底 ,利用快速热化学气相沉积 (RTCVD)方法外延多晶硅薄膜并制作了转换效率达 4 5 %的薄膜太阳电池。
2.
Molecular beam epitaxy (MBE) is described along with three types of chemical vapor deposition: ultrahigh vacuum (UHV/CVD),atmospheric pressure (APCVD),and rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD).
本文描述了应用于SiGe外延的分子束外延 (MBE)、超高真空化学气相沉积 (UHV/CVD)、常压化学气相沉积 (APCVD)、快速热化学气相沉积 (RTCVD)等几种工艺及这几种工艺中的常见问题 ,并介绍了近来这些SiGe外延技术的改进 ,最后从器件角度对以上几种工艺特性进行了比较。
3) rapid thermal chemical vapor deposition
快速热化学气相沉积
1.
Polycrystalline silicon(poly Si)films(10—20μm)were grown by a rapid thermal chemical vapor deposition technique from SiH 2Cl 2 with a growth rate up to 10nm/s at the substrate temperature(Ts)of 1030℃.
报道了快速热化学气相沉积（ＲＴＣＶＤ）工艺制备多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）薄膜及电池的实验和结果。
2.
In this paper, we adopted rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD) and zone melti.
本文采用快速热化学气相沉积(RTCVD)和区熔再结晶(ZMR)相结合的方法，在SiSiC和Al_2O_3等陶瓷衬底上制备多晶硅薄膜，并初步探索了高温路线制备多晶硅薄膜太阳电池的相关工艺。
4) Rapid Thermal Process/Very Low Pressure-Chemical Vapor Deposition
快速加热/超低压-化学气相淀积
5) chemical vapor infiltration
化学气相渗透法
1.
0% fabricated by the chemical vapor infiltration was studied using oxyacetylene ablation equipment.
用化学气相渗透法制备了三维针刺碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料,复合材料的平均密度为2。
2.
5 D) carbon-fiber-reinforced silicon carbide(C/SiC) composite were prepared by the chemical vapor infiltration process and the tensile properties of the composites along the warp and weft direction were compared as a function of fiber architectures and processing-induced cracks.
采用化学气相渗透法制备了2维和2。
6) Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition (RTCVD)
快速热化学汽相沉积(RTCVD)
补充资料：化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积是一种气体反应过程。在这个过程中，由某些选定气体的热诱导分解在衬底上形成某种介质层。在硅平面器件及集成电路中最常用的是淀积SiO2，Si3N4和多晶硅。化学气相淀积也广泛用于半导体单晶薄膜的外延生长，特别是多层膜的外延生长。在光电子器件和微波器件的制作中尤其常用。CVD方法视工作时反应室中气体压强不同分为常压、低压和超低压CVD。根据化学反应能量提供方式不同可分为热分解、光加热、射频加热、热丝、光、等离子体增强和微波等离子体增强CVD。按反应气源不同又分为卤化物、氢化物和金属有机化合物CVD（MOCVD）。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条