1) Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition (RTCVD)
快速热化学汽相沉积(RTCVD)
2) RTCVD
快速热化学气相沉积
1.
Processing conditions, characteristics of the substrate and the film deposited by RTCVD are discussed.
采用廉价国产硅粉拉制的低纯度颗粒硅带 (SSP)作为衬底 ,利用快速热化学气相沉积 (RTCVD)方法外延多晶硅薄膜并制作了转换效率达 4 5 %的薄膜太阳电池。
2.
Molecular beam epitaxy (MBE) is described along with three types of chemical vapor deposition: ultrahigh vacuum (UHV/CVD),atmospheric pressure (APCVD),and rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD).
本文描述了应用于SiGe外延的分子束外延 (MBE)、超高真空化学气相沉积 (UHV/CVD)、常压化学气相沉积 (APCVD)、快速热化学气相沉积 (RTCVD)等几种工艺及这几种工艺中的常见问题 ,并介绍了近来这些SiGe外延技术的改进 ,最后从器件角度对以上几种工艺特性进行了比较。
3) rapid thermal chemical vapor deposition
快速热化学气相沉积
1.
Polycrystalline silicon(poly Si)films(10—20μm)were grown by a rapid thermal chemical vapor deposition technique from SiH 2Cl 2 with a growth rate up to 10nm/s at the substrate temperature(Ts)of 1030℃.
报道了快速热化学气相沉积（ＲＴＣＶＤ）工艺制备多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）薄膜及电池的实验和结果。
2.
In this paper, we adopted rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD) and zone melti.
本文采用快速热化学气相沉积(RTCVD)和区熔再结晶(ZMR)相结合的方法，在SiSiC和Al_2O_3等陶瓷衬底上制备多晶硅薄膜，并初步探索了高温路线制备多晶硅薄膜太阳电池的相关工艺。
4) hot-wall CVD
热壁化学汽相沉积
1.
GaN films were deposited on Si(111)substrates during the process of hot-wall CVD.
利用热壁化学汽相沉积在Si基上生长GaN薄膜。
5) Chemical vapor deposition
化学汽相沉积
1.
in this paper, a novel technique of fabricating microlenses with spherical surface by laser chemical vapor deposition(LCVD)was introduced.
本文介绍了一种新颖的利用激光化学汽相沉积（ＬＣＶ）球面微透镜的技术。
2.
In this paper a technique of fabricating microlenses with spherical surface by laser chemical vapor deposition (LCVD) was introduced.
本文介绍了用激光化学汽相沉积(LCVD)球面微透镜的技术。
3.
In this paper, a technique of fabricating spherical surface microlenses by laser chemical vapor deposition (LCVD) was introduced.
介绍了用激光化学汽相沉积（ＬＣＶＤ）球面微透镜的技术。
6) CVD
化学汽相沉积
1.
In this paper the method of exhaust treament during the growthprocess of ZnSe using CVD is reported.
本文报道用化学汽相沉积法生长硒化锌多晶过程中尾气处理的方法。
2.
A continuous and pure crystalline film of β C 3N 4 with {221} textured characteristic has been grown using an ECR CVD (electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition) process.
用电子回旋共振等离子体化学汽相沉积 (ECRCVD)法 ,在单晶硅 (10 0 )衬底上沉积生长出了具有 { 2 2 1}结构特性的连续的结晶态 β C3N4 薄膜。
3.
The recent progress on fabricating methods of SiC films using chemical vapor deposition(CVD)was introduced,and the structural characteristics and physical properties of the CVD-SiC films were also reviewed.
介绍了SiC薄膜的一种主要制备方法———化学汽相沉积(CVD)法制备SiC薄膜的近年研究进展,并对所制备薄膜的结构特征与物理性质进行了简要评述。
补充资料：热化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：利用高温激活化学反应进行气相生长的方法。按其化学反应形式可分成三大类：（1）化学输送法；（2）热分解法；（3）合成反应法。第一类一般用于块状晶体生长；第二类通常用于薄膜材料生长；第三类则两种情况都用。TCVD应用于半导体材料，如Si，Ge，GaAs，InP等各种氧化和其他材料。广泛应用的CVD技术，如MOCVD、氯化物化学气相沉积、氢化物化学气相沉积等均属于TCVD的范围。
CAS号：
性质：利用高温激活化学反应进行气相生长的方法。按其化学反应形式可分成三大类：（1）化学输送法；（2）热分解法；（3）合成反应法。第一类一般用于块状晶体生长；第二类通常用于薄膜材料生长；第三类则两种情况都用。TCVD应用于半导体材料，如Si，Ge，GaAs，InP等各种氧化和其他材料。广泛应用的CVD技术，如MOCVD、氯化物化学气相沉积、氢化物化学气相沉积等均属于TCVD的范围。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条