1) wide band gap Ⅱ Ⅵ semiconductors
宽禁带-族半导体
2) wide band gap semiconductor
宽禁带半导体
1.
β-Ga_2O_3 single crystals,the wide band gap semiconductor,were grown using floating zone technique.
用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析。
2.
InN and GaN are the most important optoelectronic materials of wide band gap semiconductors now.
InN和GaN是宽禁带半导体中最重要的光电子材料,但现在还存在一些技术上的困难阻碍了它们的研究进展,其中一个重要的问题就是缺少合适的衬底材料。
3) wide bandgap semiconductor(WBG)
宽禁带(WBG)半导体
5) wide bandgap semiconductor
宽禁带半导体
1.
In recent years,SiC FET power transistor and GaN high electron movability power transistor represent the third generation semiconductor-wide bandgap semiconductor power devices,have advantages of high breakdown voltage,high power density,as w.
近年来以S iC场效应功率晶体管和GaN高电子迁移率功率晶体管为代表的第三代半导体--宽禁带半导体功率器件具有击穿电压高、功率密度高、输出功率高、工作效率高、工作频率高、瞬时带宽宽、适合在高温环境下工作和抗辐射能力强等优点。
2.
The third generation semiconductor power devices——wide bandgap semiconductor device,which has intrinsic characteristics of wide bandgap,high break down field and well heat stability,all make it have higher output power,higher working frequency and higher efficiency,so as to satisfy the requirements of modern radar.
但是面对现代雷达等新一代电子装备的需求,半导体功率器件在高功率、高效率和高频率等方面与真空管器件相比仍逊色许多,Si和GaAs功率器件的输出功率工作频率短期内不大可能有大的提高,而第三代半导体功率器件——宽禁带半导体器件固有的宽禁带、高击穿场强和良好的热稳定性等特性,决定了其可以输出更高功率、工作在更高频率、具有更高效率,并可更好地满足现代雷达的要求。
6) p-type simconductor
宽禁带p型半导体
补充资料：宽禁带半导体(见半导体的能带结构)
宽禁带半导体(见半导体的能带结构)
wide gap semiconductor
习一’平叼能带结构。‘J~正J“、二二，，Conauctor见半
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参考词条