2) wide band gap semiconductor
宽带隙半导体
1.
Preparation and application of AIN films with wide band gap semiconductor;
宽带隙半导体AIN薄膜的制备及应用
2.
Recently, a great deal of interest in wide band gap semiconductor of one -dimensional GaN nanomaterials has been stimulated by the discovery of novel property and potential application in optical, electric and mechanical fields.
近年来，宽带隙半导体材料—GaN一维纳米材料已引起了人们极大的兴趣，这些纳米材料具有许多独特的性能并且在光、电及机械等方面具有极大的应用潜能。
4) ZnO semiconductor
ZnO半导体
1.
In the paper,the equilibrium concentrations of main points defects in ZnO semiconductor at high temperature,such as sintering temperature and heat-treatment temperature,are theoretically investigated by the Kroger s defect chemistry method for oxide semiconductor.
本文根据Kroger的氧化物点缺陷拟化学平衡方法对ZnO半导体中主要点缺陷的高温热平衡浓度进行了分析和计算,在此基础上依据快速冷却条件下的缺陷"冻结"特征,揭示了室温下ZnO半导体中的亚稳态缺陷状态和载流子分布特征,从而合理揭示了ZnO晶体中点缺陷态和导电机制的依赖关系。
2.
Al and N with different concentrations are heavily doped in ZnO semiconductor,and the density of states of Al and N doped ZnO is calculated by DFT mothod under the condition of low temperature.
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,在同等环境条件下,建立了不同大小的ZnO模型,在ZnO中对不同浓度的氮和铝原子进行了高掺杂,并对低温条件下高掺杂氮和铝原子的ZnO半导体进行了态密度计算,然后分别对进入价带的相对空穴数和空穴散射迁移率进行了计算,最后对电导率进行了类比,发现适量低浓度的高掺杂氮和铝原子会使ZnO半导体的导电性能增强。
5) narrow band gap semiconductor
窄带隙半导体
1.
In recent years,narrow band gap semiconductors have attracted extensive attention and become the research focus of the novel semiconductor materials because they are capable of Absorbing the visible light,degrading the organic pollutants and producing clean energy by splitting the water into hydrogen and oxygen under visible light irradiation.
近年来,窄带隙半导体材料因具有吸收太阳光可见波段能量、可见光催化降解有机物及可见光解水制氢的优异特性而成为新型半导体材料的研发热点。
6) wide band gap semiconductor
宽禁带半导体
1.
β-Ga_2O_3 single crystals,the wide band gap semiconductor,were grown using floating zone technique.
用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析。
2.
InN and GaN are the most important optoelectronic materials of wide band gap semiconductors now.
InN和GaN是宽禁带半导体中最重要的光电子材料,但现在还存在一些技术上的困难阻碍了它们的研究进展,其中一个重要的问题就是缺少合适的衬底材料。
补充资料：直接带隙半导体（directbandgapsemiconductor）
直接带隙半导体（directbandgapsemiconductor）
直接带隙半导带中导带极小值和价带极大值相应于相同的波矢K0，这种半导体在本征吸收过程中，产生电子的直接跃迁，跃迁过程中，除能量守恒外，还遵循动量守恒，跃迁前后，波矢K不变。能量大于禁带宽度Eg的光子均能被吸收而形成一个连续吸收带。Ⅲ-Ⅴ族的GaAs、InSb等及Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体均属直接带隙半导体。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条