1) wide-band gap semiconductor
宽禁带半导体材料
2) wide band gap semiconductor
宽禁带半导体
1.
β-Ga_2O_3 single crystals,the wide band gap semiconductor,were grown using floating zone technique.
用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析。
2.
InN and GaN are the most important optoelectronic materials of wide band gap semiconductors now.
InN和GaN是宽禁带半导体中最重要的光电子材料,但现在还存在一些技术上的困难阻碍了它们的研究进展,其中一个重要的问题就是缺少合适的衬底材料。
3) wide bandgap semiconductor(WBG)
宽禁带(WBG)半导体
5) wide band gap Ⅱ Ⅵ semiconductors
宽禁带-族半导体
6) wide bandgap semiconductor
宽禁带半导体
1.
In recent years,SiC FET power transistor and GaN high electron movability power transistor represent the third generation semiconductor-wide bandgap semiconductor power devices,have advantages of high breakdown voltage,high power density,as w.
近年来以S iC场效应功率晶体管和GaN高电子迁移率功率晶体管为代表的第三代半导体--宽禁带半导体功率器件具有击穿电压高、功率密度高、输出功率高、工作效率高、工作频率高、瞬时带宽宽、适合在高温环境下工作和抗辐射能力强等优点。
2.
The third generation semiconductor power devices——wide bandgap semiconductor device,which has intrinsic characteristics of wide bandgap,high break down field and well heat stability,all make it have higher output power,higher working frequency and higher efficiency,so as to satisfy the requirements of modern radar.
但是面对现代雷达等新一代电子装备的需求,半导体功率器件在高功率、高效率和高频率等方面与真空管器件相比仍逊色许多,Si和GaAs功率器件的输出功率工作频率短期内不大可能有大的提高,而第三代半导体功率器件——宽禁带半导体器件固有的宽禁带、高击穿场强和良好的热稳定性等特性,决定了其可以输出更高功率、工作在更高频率、具有更高效率,并可更好地满足现代雷达的要求。
补充资料：窄禁带半导体
按照固体的能带理论，半导体的价带与导带之间有一个禁带。在禁带较窄的半导体中，有一些物理现象表现得最为明显，最便于研究，因此把窄禁带半导体作为半导体的单独一类。但"窄"的界限并不严格，一般把禁带小于载流子室温热能(k T)的十倍，即小于0.26eV的半导体通称为窄禁带半导体。硫化铅 (PbS)的禁带大于此数,但由于它的性质类似于硒化铅(PbSe,0.165eV,4K)、碲化铅(PbTe, 0.190eV,4K)等，因而也把它归入窄禁带半导体类。
20世纪40年代开始研究窄禁带半导体 PbS，1952年H.韦尔克发现InSb，它是典型的窄禁带半导体，1957年E.O.凯恩的理论阐明了InSb类型的窄禁带半导体的能带结构。1959年起开始研究以HgTe和CdTe为基础的赝二元素中的窄禁带半导体，其中包括禁带宽度为零的半导体。以上发展与红外探测器的发展密切相关。除Hg1-xCdxTe系之外，近年来又发展了一系列赝二元系的窄禁带半导体,也都包括零禁带半导体，如Hg1-xCdxSe，MnxHg1-xTe，Pb1-xSnxTe和Pb1-xSnxSe等。
由于禁带窄,导带与价带的相互影响就比较严重,以致导带的电子能量E与波矢k的关系不再能用抛物线型来近似，而是比抛物线陡得多的曲线。又由于禁带窄，寻常温度下热激发的电子浓度高，费密能级很容易进入导带,必须用费密-狄喇克统计来处理电子输运过程。随着费密能级的升高,反映前述的E(k)的非抛物线型性质,电子的有效质量、不是常数而是逐渐增大。 对于闪锌矿结构的半导体(如InSb，Hg1-xCdxTe 等)导带底的电子有效质量近似与禁带宽度 Eg成正比。Eg愈小，也愈小,同时有效g因子g *也愈大。对于各种磁量子现象、与自旋有关的色散现象，这类半导体是最好的研究对象。
20世纪40年代开始研究窄禁带半导体 PbS，1952年H.韦尔克发现InSb，它是典型的窄禁带半导体，1957年E.O.凯恩的理论阐明了InSb类型的窄禁带半导体的能带结构。1959年起开始研究以HgTe和CdTe为基础的赝二元素中的窄禁带半导体，其中包括禁带宽度为零的半导体。以上发展与红外探测器的发展密切相关。除Hg1-xCdxTe系之外，近年来又发展了一系列赝二元系的窄禁带半导体,也都包括零禁带半导体，如Hg1-xCdxSe，MnxHg1-xTe，Pb1-xSnxTe和Pb1-xSnxSe等。
由于禁带窄,导带与价带的相互影响就比较严重,以致导带的电子能量E与波矢k的关系不再能用抛物线型来近似，而是比抛物线陡得多的曲线。又由于禁带窄，寻常温度下热激发的电子浓度高，费密能级很容易进入导带,必须用费密-狄喇克统计来处理电子输运过程。随着费密能级的升高,反映前述的E(k)的非抛物线型性质,电子的有效质量、不是常数而是逐渐增大。 对于闪锌矿结构的半导体(如InSb，Hg1-xCdxTe 等)导带底的电子有效质量近似与禁带宽度 Eg成正比。Eg愈小，也愈小,同时有效g因子g *也愈大。对于各种磁量子现象、与自旋有关的色散现象，这类半导体是最好的研究对象。
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参考词条