1) phase-shift mask
移相掩模
2) phase-shifting mask
相移掩模
1.
Phase-shifting mask for 100nm node ArF excimer laser lithography;
用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模技术
2.
Process window improvement is presented due to off-axis illumination(OAI) and phase-shifting mask(PSM) for 193 nm immersion lithography at 65 nm node.
研究了交替型相移掩模及离轴照明对65nm分辨率ArF浸没式光刻的影响。
3) phase shift mask
相移掩模
1.
Therefore, a new approximation model for alternating phase shift mask considering shadowing effects was proposed in this paper, and shadowing ratio was redefined.
因此本文针对交替式相移掩模,提出了一种考虑阴影效应的近似模型。
4) Phase shifting mask
相移掩模
1.
35 μm contact hole with traditional mask, rim phase shifting mask (PSM), partial rim PSM, attenuating PSM are calculated based on Hopkins model, and the optimum parameters of different PSM are obtained.
35μm方孔的传统透射掩模、边缘相移掩模、部分边缘相移掩模、辅助相移掩模以及衰减相移掩模在硅片表面空间像的光强分布 ,找出了适合于各种相移掩模的最佳参数。
5) Phase-shifting masks (PSM)
相移掩模(PSM)
6) Alternating phase-shift mask
交替型相移掩模
补充资料：光学掩模版
分子式：
CAS号：
性质： 在薄膜、塑料或玻璃基体材料上制作各种功能图形并精确定位，以便用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构。
CAS号：
性质： 在薄膜、塑料或玻璃基体材料上制作各种功能图形并精确定位，以便用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条