1) UVCVD
紫外光能量辅助化学气相淀积
2) 3UCVD
超高真空、超低压、深紫外光能辅助化学气相淀积
3) EACVD
电子辅助化学气相淀积
1.
Hydrogen dissociation during the electron assisted chemical vapor deposition (EACVD) of diamond thin film is simulated by using the Monte Carlo method.
采用蒙特卡罗方法模拟了电子辅助化学气相淀积 (EACVD)金刚石薄膜中的氢分解过程 ,建立了电子碰撞使氢分解的模型 ,给出了电子能量分布及氢原子数的空间分布 ,讨论了电偏压和气压对氢分解的影响。
5) carbon-assisted CVD method
碳辅助化学气相沉积法
1.
High-density SiO_x nanowires were fabricated on a large-scale using carbon-assisted CVD method by Fe—Al—O catalyst at 1140℃ in flowing N_2/H_2,N_2 and NH_3 atmospheres.
以N2/H2、N2或NH3为载气,利用碳辅助化学气相沉积法,常压1140℃下在石英衬底上制备了大量直径为20—300nm,长数百微米的非晶SiOx纳米线。
6) laser photochemical vapor deposition
激光化学气相淀积
补充资料：化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积是一种气体反应过程。在这个过程中，由某些选定气体的热诱导分解在衬底上形成某种介质层。在硅平面器件及集成电路中最常用的是淀积SiO2，Si3N4和多晶硅。化学气相淀积也广泛用于半导体单晶薄膜的外延生长，特别是多层膜的外延生长。在光电子器件和微波器件的制作中尤其常用。CVD方法视工作时反应室中气体压强不同分为常压、低压和超低压CVD。根据化学反应能量提供方式不同可分为热分解、光加热、射频加热、热丝、光、等离子体增强和微波等离子体增强CVD。按反应气源不同又分为卤化物、氢化物和金属有机化合物CVD（MOCVD）。
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参考词条