1) microwave plasma enhanced chemical vapor deposition
微波等离子体辅助化学气相沉积
2) PAPVD coatings
等离子体辅助物理、化学气相沉积
3) plasma enhanced chemical vapor deposition
等离子体辅助化学气相沉积
1.
Diamond-like carbon (DLC) films were prepared on Si(100) substrates by combining plasma source ion implantation and electron cyclotron resonance microwave plasma enhanced chemical vapor deposition technique.
采用等离子体源离子注入和电子回旋共振-微波等离子体辅助化学气相沉积技术相结合的方法在Si衬底上制备出子性能良好的类金剐石膜。
4) radio frequency plasma chemical vapor deposition
射频等离子体辅助化学气相沉积
5) plasma assisted MOCVD
等离子体辅助金属有机化学气相沉积
1.
We present the results of UV photodetectors fabricated on ZnO epitaxial films grown on c-plane sapphiresubstrates by plasma assisted MOCVD.
利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P-MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置,进行氮掺杂获得高阻ZnO薄膜。
6) MPCVD
微波等离子体化学气相沉积
1.
SiC NANOWIRES GROWN ON SILICON(100) WAFER BY MPCVD METHOD;
微波等离子体化学气相沉积方法在Si衬底上生长SiC纳米线
2.
Chain-like carbon nanotube(CNTs) thin films were rapidly deposited on Ti-coated Al2O3 substrate by MPCVD(microwave plasma enhanced chemical vapor deposition) process for only 1min with CH4 and H2 as reaction gases.
以镀有Ti层的Al2O3为衬底,在微波等离子体化学气相沉积系统中,以CH4和H2为反应气体,快速制备了链状碳纳米管薄膜(沉积时间仅1 min)。
3.
C3N4 thin films have been prepared on Pt substrates by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) method.
采用微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD），使用高纯N2（99。
补充资料：微波等离子体化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：用微波等离子体激活化学反应，进行气相沉积的技术。微波等离子体增强了气体反应活性，加速气相分解反应和表面原子的迁移，使沉积过程可以在较低生长温度下进行。常用设备在一低压化学气相沉积(CVD)反应管上交叉安装一共振腔和与之匹配的微波发射器。在CVD反应管中被共振腔包围气体可通过微波作用形成等离子体，微波频率通常为2.45GHz，发射功率通常在几百瓦至1kW以上。该方法对于低熔点和高温下不稳定的化合物的薄膜生长更为合适。
CAS号：
性质：用微波等离子体激活化学反应，进行气相沉积的技术。微波等离子体增强了气体反应活性，加速气相分解反应和表面原子的迁移，使沉积过程可以在较低生长温度下进行。常用设备在一低压化学气相沉积(CVD)反应管上交叉安装一共振腔和与之匹配的微波发射器。在CVD反应管中被共振腔包围气体可通过微波作用形成等离子体，微波频率通常为2.45GHz，发射功率通常在几百瓦至1kW以上。该方法对于低熔点和高温下不稳定的化合物的薄膜生长更为合适。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条