源漏,Source/drain,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) Source/drain

源漏

2) Metal S/D

金属源/漏

Latest Development of New Type of Metal S/D Engineering;

新型金属源/漏工程新进展

3) Source/drain engineering

源/漏工程

4) S/D tunneling

源漏隧穿

The simulation results show that when the channel length is 10nm,the S/D tunneling is 25% of the total off current and 5% of the total on current.

在经典弹道输运模型中引入源漏隧穿 (S/ D tunneling) ,采用 WKB方法计算载流子源漏隧穿几率 ,对薄硅层(硅层厚度为 1nm) DG(dual gate) MOSFETs的器件特性进行了模拟。

5) elevated source/drain

抬高源漏

m thin-film fully-depleted SOI CMOS devices with elevated source/drain structure are fabricated by a novel technology.

采用新的工艺技术,成功研制了具有抬高源漏结构的薄膜全耗尽SOICMOS器件。

6) S/D resistance

源漏电阻

参考词条

源漏硅化物肖特基源漏栅极-源漏极交叠源漏Ti硅化物饱和源漏电流肖特基势垒源/漏肖特基源漏（SBSD）源漏接触电阻抬高源漏结构寄生源漏电阻提升源漏高度源漏轻掺杂液稳压气源漏率源漏串联电阻源漏扩展结构耐磨技术配磨自动定尺寸

补充资料：漏无漏

【漏无漏】

　（术语）有漏法与无漏法也。漏为烦恼之异名。三界之诸法为有漏法。三乘之圣道及涅槃界为无漏法。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

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1) Source/drain 源漏 2) Metal S/D 金属源/漏 1. Latest Development of New Type of Metal S/D Engineering; 新型金属源/漏工程新进展 3) Source/drain engineering 源/漏工程 4) S/D tunneling 源漏隧穿 1. The simulation results show that when the channel length is 10nm,the S/D tunneling is 25% of the total off current and 5% of the total on current. 在经典弹道输运模型中引入源漏隧穿 (S/ D tunneling) ,采用 WKB方法计算载流子源漏隧穿几率 ,对薄硅层(硅层厚度为 1nm) DG(dual gate) MOSFETs的器件特性进行了模拟。 5) elevated source/drain 抬高源漏 1. m thin-film fully-depleted SOI CMOS devices with elevated source/drain structure are fabricated by a novel technology. 采用新的工艺技术,成功研制了具有抬高源漏结构的薄膜全耗尽SOICMOS器件。 6) S/D resistance 源漏电阻参考词条源漏硅化物肖特基源漏栅极-源漏极交叠源漏Ti硅化物饱和源漏电流肖特基势垒源/漏肖特基源漏（SBSD）源漏接触电阻抬高源漏结构寄生源漏电阻提升源漏高度源漏轻掺杂液稳压气源漏率源漏串联电阻源漏扩展结构耐磨技术配磨自动定尺寸补充资料：漏无漏【漏无漏】　（术语）有漏法与无漏法也。漏为烦恼之异名。三界之诸法为有漏法。三乘之圣道及涅槃界为无漏法。说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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