1) source/drain extension region
源/漏扩展区
2) source and drain extension
源漏扩展区
1.
Polysilicon doped heavily is introduced as solid phase diffusion source to realize ultra shallow source and drain extensions.
1μm栅线条 ,重掺杂多晶硅做固相扩散源实现 CMOS晶体管超浅源漏扩展区 ,并且将二者有机结合起来 ,成功实现了栅长约为 84 。
3) source/drain extension (SDE)
源/漏极外延，源/漏极扩展
4) Source Drain Extension (SDE)
源漏扩展结构
5) drain and source diffusion
源 漏扩散
6) drain extended MOS
扩展漏端MOS
补充资料：漏无漏
【漏无漏】
（术语）有漏法与无漏法也。漏为烦恼之异名。三界之诸法为有漏法。三乘之圣道及涅槃界为无漏法。
（术语）有漏法与无漏法也。漏为烦恼之异名。三界之诸法为有漏法。三乘之圣道及涅槃界为无漏法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条