1) saturated drain-source current
饱和源漏电流
1.
In this paper, we investigated the mechanism for the decrease of saturated drain-source current ( ) due to sulfur passivation.
本文分析了硫钝化后GaAsMESFET饱和源漏电流(IDss)下降的原因,认为硫处理降低了和/(为施主缺陷密度;为受主缺陷密度),表面费米能级向价带顶移动,能带弯曲加剧,表面耗尽层变厚,导电沟道变窄,是导致饱和源漏电流下降的主要因素。
2) saturated drain current
饱和漏电流
1.
It is studied that the influence of AB microdefects in semi-insulating GaAs substrate grown by LEC on the property of MESFET devices including transconductance (g m),saturated drain current (I dss),and pinch-off voltage (V p) .
研究了LEC法生长SI GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能 (跨导、饱和漏电流、夹断电压 )的影响 。
3) Saturation drain current
饱和漏极电流
4) drain saturation voltage
饱和漏电压
5) Saturation Current
饱和电流
1.
The electric resistance enlarges and the saturation current declines due to drying of concrete in the early days,and in the end they tend towards the stability.
本文实验研究了水泥基pn结的伏安特性,结果表明由钢纤维混凝土和碳纤维混凝土组成的pn结具有比较典型的pn结伏安特性,且随着期龄的延长,混凝土变得干燥而电阻增大,水泥基pn结导电能力减弱,单向导电功能逐渐加强,反向饱和电流趋向稳定。
6) Saturated current
饱和电流
1.
A new physical model of the MESFET s saturated current is proposed.
本文提出一种改进的基于物理的GaAsMESFET饱和电流模型。
2.
For researching the saturated current and checking the LED chips′ reliability, the relat.
本文汇集各厂家 In Ga Al P超高亮 LED芯片 ,并制成器件 ,对其多种性能进行对比分析 ,测试超高亮 LED的发光强度与电流的关系以研究饱和电流的大小 ,并进行电耐久性试验以考核超高亮 LED芯片的可靠性 ;简要介绍了封装工艺设计对超高亮 L ED性能参数的影响 ,并提出超高亮 LED性能及可靠性的其它要求 ,为客户选用超高亮 LED提供相对的依据。
补充资料：反向漏电流（inverseleakagecurrent）
反向漏电流（inverseleakagecurrent）
流过处于反向工作的pn结的微小电流称为反向漏电流。理想pn结反向漏电流中还包括体内扩散电流与空间电荷区产生电流两部分，硅pn结空间电荷区产生电流起支配作用。反向漏电流的大小与组成pn结的半导体材料禁带宽度呈指数关系，反向漏电流中还包括表面漏电流，表面漏电流的大小与pn结制作工艺密切相关。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条