1) source and drain extension
源漏扩展区
1.
Polysilicon doped heavily is introduced as solid phase diffusion source to realize ultra shallow source and drain extensions.
1μm栅线条 ,重掺杂多晶硅做固相扩散源实现 CMOS晶体管超浅源漏扩展区 ,并且将二者有机结合起来 ,成功实现了栅长约为 84 。
2) source/drain extension region
源/漏扩展区
3) source/drain extension (SDE)
源/漏极外延，源/漏极扩展
4) Source Drain Extension (SDE)
源漏扩展结构
5) drain and source diffusion
源 漏扩散
6) drain extended MOS
扩展漏端MOS
补充资料：漏无漏
【漏无漏】
（术语）有漏法与无漏法也。漏为烦恼之异名。三界之诸法为有漏法。三乘之圣道及涅槃界为无漏法。
（术语）有漏法与无漏法也。漏为烦恼之异名。三界之诸法为有漏法。三乘之圣道及涅槃界为无漏法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条