1) Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT
Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN高电子迁移率晶体管
3) AlGaN/GaN high electron mobility transistors
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
1.
Study on mechanism of AlGaN/GaN high electron mobility transistors by high temperature Schottky annealing;
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究
5) HEMT
高电子迁移率晶体管
1.
Ohmic Contact for InP-Based HEMTs;
磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺
2.
Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy;
RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性(英文)
3.
With the development of communication technology,the gate length of HEMT becomes shorter and shorter,and the previous speed-field analytical formula can not accurately describe this change.
通过对现有的速度-场经验公式的计算机模拟仿真,发现其与实测的文献数据之间存在一定的误差,因而提出一种改进的速度-场经验公式,在线性电荷控制模型的基础上,考虑沟道长度调制效应,解析出一种新的高电子迁移率晶体管(HEMT)I-V模型。
6) HEMTs
高电子迁移率晶体管
1.
A New Method for InGaAs/InP Composite Channel HEMTs Simulation;
一种InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法(英文)
补充资料：电子迁移率
分子式：
CAS号：
性质：在外电场作用下液态介质内的电子受到加速而迁移，称电子迁移。迁移率(单位场强下的电子迁移速率)是沿着外电场施加于电子上的作用力方向，通常小于无规热运动速率，其大小由介质阻碍与外场加速间达到的平衡来确定，是一个平均速率。
CAS号：
性质：在外电场作用下液态介质内的电子受到加速而迁移，称电子迁移。迁移率(单位场强下的电子迁移速率)是沿着外电场施加于电子上的作用力方向，通常小于无规热运动速率，其大小由介质阻碍与外场加速间达到的平衡来确定，是一个平均速率。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条