1) PHEMT technology
膺配高电子迁移率晶体管工艺
2) Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT) EC2612
膺配高电子迁移率晶体管EC2612
3) GaAs power PHEMT
砷化镓功率赝配高电子迁移率晶体管
4) pHEMT
赝配高电子迁移率晶体管
1.
Monolithic Integration of 0.8μm Gate-Length GaAs-Based InGaP/AlGaAs/InGaAs Enhancement-and Depletion-Mode PHEMTs;
单片集成0·8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管
2.
MBE Growth of InP Based PHEMT Epitaxial Materials;
分子束外延生长InP基赝配高电子迁移率晶体管外延材料
5) enhancement PHEMT
增强型赝配高电子迁移率晶体管
1.
5μm enhancement PHEMT technology.
报道了一种用于卫星通讯系统,基于0·5μm栅长增强型赝配高电子迁移率晶体管的两级级联微波单片低噪声放大器。
6) PHEMT
赝配结构高电子迁移率晶体管
1.
PHEMT material and device;
概述了微波毫米波赝配结构高电子迁移率晶体管材料的结构特性,研究了该材料的分子束外延生长工艺,并且报道了用这种材料研制的赝配结构高电子迁移率晶体管的器件研制结果。
补充资料：膺中俞
膺中俞 膺中俞 经穴别名。出《针灸甲乙经》。即中府。见该条。
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参考词条