1) GaN-based HEMT
氮化镓基高电子迁移率晶体管
2) AlGaN/GaN HEMT
铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管
3) GaAs pseudomorphic high electron mobility transistors(pHEMT)
砷化镓基赝配高电子迁移率晶体管
4) GaAs power PHEMT
砷化镓功率赝配高电子迁移率晶体管
5) GaAs HEMT
砷化镓高电子迁移率晶体管
6) GaAs PHEMT-technology
砷化镓赝晶高电子迁移率器件工艺
补充资料：高电子迁移率晶体管（highmobilitytransistor）
高电子迁移率晶体管（highmobilitytransistor）
利用异质结或调制掺杂结构中二维电子气高迁移率特性的场效应晶体管。其低温、低电场下的电子迁移率比通常高质量的体半导体的场效应晶体管高1000倍，可实现高速低噪音工作。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条